AUIRFR8401TRR 是一款由 Vishay 推出的 N 沃特功率 MOSFET 芯片,专为汽车级应用设计。该芯片采用 TrenchFET 技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
这款器件采用了 PQFN3x3-8L 封装形式,具备紧凑的尺寸和出色的散热性能,非常适合空间受限的汽车电子系统。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:32A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷(典型值):49nC
输入电容(典型值):3350pF
工作温度范围:-40℃至+175℃
封装类型:PQFN3x3-8L
AUIRFR8401TRR 具备低导通电阻的特点,可以显著降低功耗并提高整体效率。其优化的开关性能使其在高频应用场景中表现出色。
此外,该器件符合 AEC-Q了其在严苛的汽车环境中的可靠性。它还具备出色的热稳定性和抗静电能力(HBM > 2kV)。
由于采用了先进的 TrenchFET Gen IV 技术,AUIRFR8401TRR 在小型化封装下依然能够提供卓越的电气性能和可靠性,满足现代汽车电子系统对高性能和高可靠性的需求。
AUIRFR8401TRR 广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
- 高效 DC-DC 转换器
- 汽车电动助力转向系统(EPS)
- 汽车空调压缩机控制
- 车载充电器(OBC)
- LED 驱动器
- 各种电机驱动应用
其强大的电流处理能力和低损耗特点,使其成为汽车动力系统和控制系统中不可或缺的关键元器件。
IRFR8401TRPbF