时间：2025/4/25 17:49:08
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AUIRFR48ZTR 是一款基于硅技术制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为汽车应用设计。该器件采用了先进的 Trench 技术，从而实现了更低的导通电阻和更高的效率。它广泛应用于需要高效率、高可靠性的场景，如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。该芯片具有出色的热性能和电气性能，能够承受严苛的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：41nC
输入电容：2920pF
工作温度范围：-40°C 至 175°C
封装形式：TO-263-3
AUIRFR48ZTR 的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低功耗并提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，减少了开关损耗。其优化的封装设计增强了散热性能，使得在高功率密度的应用中表现优异。同时，该芯片符合 AEC-Q101 标准，确保了其在汽车电子应用中的高可靠性。
另外，该器件拥有强大的抗雪崩能力，可以有效防止由于过载或短路引起的损坏。它的宽工作温度范围使其适用于各种极端环境条件下的应用，例如发动机舱内的电力电子设备。
这款 MOSFET 广泛应用于汽车电子领域，具体应用场景包括但不限于以下几种：
1. DC-DC 转换器，用于将电池电压转换为不同需求的输出电压；
2. 负载开关，用于控制大电流负载的通断；
3. 电机驱动，支持各类汽车电机的高效运行；
4. 电源管理模块，为复杂的汽车电子系统提供稳定的供电方案。
IRFR48ZTR, IXTA48N06L5
