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AUIRFR48Z 发布时间 时间:2025/12/23 11:08:13 查看 阅读:21

AUIRFR48Z是一款专为汽车级应用设计的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力的特点,广泛应用于车载电子系统中的开关和负载驱动场景。
  此MOSFET特别适用于需要高效率和可靠性的汽车环境,能够承受严苛的工作条件,包括高温、振动和其他潜在的干扰因素。

参数

最大漏源电压:50V
  最大连续漏极电流:31A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  总电容:1020pF
  工作结温范围:-40℃至+175℃

特性

AUIRFR48Z的核心优势在于其出色的电气性能和坚固的设计:
  1. 低导通电阻:使得传导损耗显著降低,从而提升整体系统的能效。
  2. 高可靠性:符合AEC-Q101汽车标准,确保在极端温度和振动条件下长期稳定运行。
  3. 快速开关能力:较低的栅极电荷有助于减少开关损耗,并提高工作效率。
  4. 小型化封装:TO-263封装节省了PCB空间,同时提供了良好的散热性能。
  这些特点使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载切换以及其他高电流汽车电子应用中。

应用

AUIRFR48Z主要应用于汽车电子领域,具体场景包括:
  1. 车载信息娱乐系统中的电源管理。
  2. 电动车窗、后视镜调整及座椅加热等舒适性功能的驱动电路。
  3. 发动机控制单元(ECU)和变速箱控制单元(TCU)内的信号处理与保护电路。
  4. 各类DC-DC转换器和逆变器模块,以支持新能源汽车的动力系统。
  此外,它也可用于工业设备中的高性能开关需求场景。

替代型号

IRFR48Z, AUIRFZ44N

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AUIRFR48Z参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1720pF @ 25V
  • 功率 - 最大91W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件