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AUIRFP4110 发布时间 时间:2025/6/9 14:52:44 查看 阅读:6

AUIRFP4110 是一款专为汽车应用设计的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛用于汽车电子系统中的开关和负载驱动应用。其出色的热性能和可靠性使其非常适合需要高功率密度和高效能转换的应用场景。
  AUIRFP4110 的设计满足 AEC-Q101 标准,确保其在极端温度和振动条件下仍能稳定工作。此外,它还具备快速开关特性和低栅极电荷,从而降低开关损耗并提高整体效率。

参数

型号:AUIRFP4110
  类型:N 沟道 MOSFET
  封装:TO-263
  Vds(漏源电压):55V
  Rds(on)(导通电阻):8.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):97A
  Ptot(总功耗):225W
  Qg(栅极电荷):45nC
  fT(过渡频率):1.3MHz
  结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

AUIRFP4110 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(8.5mΩ),有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 高额定电流(97A),适合大功率汽车负载驱动。
  3. 符合 AEC-Q101 标准,保证了其在恶劣环境下的可靠性和耐用性。
  4. 快速开关能力和低栅极电荷(45nC),可有效降低开关损耗。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适用于各种极端气候条件。
  6. 优异的热性能,能够承受高功率密度的应用需求。
  7. 采用标准 TO-263 封装,便于集成到现有设计中。

应用

AUIRFP4110 主要应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的直流电机驱动和负载切换。
  2. 汽车启动马达控制和辅助动力单元。
  3. 车载充电器和 DC/DC 转换器中的功率开关。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统。
  5. 高效能电源管理模块,如 LED 照明驱动电路。
  6. 工业自动化设备中的大电流开关应用。

替代型号

IRFP4110,
  IXTH85N55L,
  STP95NE06,
  FDP15U60A

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AUIRFP4110参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥57.40000管件
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 75A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)210 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9620 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)370W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AC
  • 封装/外壳TO-247-3