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AUIRFB8407 发布时间 时间:2025/7/9 18:12:46 查看 阅读:5

AUIRFB8407 是一款专为汽车应用设计的 N 沣道开关 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适用于各种需要高效能和可靠性的车载电子系统。
  这款 MOSFET 以其卓越的电气性能、出色的热特性和紧凑的封装形式著称,能够满足现代汽车电子对功率管理的严格要求。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):40V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  连续漏极电流(I_D):125A
  导通电阻(R_DS(on)):1.5mΩ(在 V_GS=10V 时)
  功耗(PD):290W(在结温 T_J=25°C 时)
  结温范围(T_J):-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

AUIRFB8407 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 R_DS(on),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 125A 的连续漏极电流。
  3. 采用 TO-247-3 封装,具备良好的散热性能,适合高功率应用。
  4. 工作温度范围广,能够适应极端环境条件,特别是汽车引擎舱内的高温环境。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车级应用中的可靠性。
  6. 具备快速开关能力,减少开关损耗。
  7. 提供优异的雪崩能力和抗静电能力,增强系统的鲁棒性。

应用

AUIRFB8407 广泛应用于汽车电子领域,具体应用包括:
  1. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的电机驱动器和逆变器模块。
  2. 汽车 DC-DC 转换器和升压转换器。
  3. 汽车启动马达和发电机控制电路。
  4. 制动系统和悬挂系统中的功率控制。
  5. 汽车空调压缩机和其他大功率负载的驱动电路。
  6. 电池管理系统 (BMS) 中的功率分配与保护。
  7. 各种车载充电器和配电系统。

替代型号

IRFB8407, IXTK100N04T2

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AUIRFB8407参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥55.89000管件
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)195A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)225 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7330 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)230W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3