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AUIRF9952Q 发布时间 时间:2025/5/23 1:25:22 查看 阅读:16

AUIRF9952Q是一款专为汽车应用设计的N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于车载电子系统中的开关和功率转换应用。
  这款MOSFET采用了先进的工艺技术制造,能够提供优异的电气性能和可靠性,确保在严苛的汽车环境下稳定运行。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:87A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:160nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

AUIRF9952Q具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),可以显著降低功率损耗。
  2. 高额定电流(87A),适用于大功率负载的应用场景。
  3. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车环境中具备高可靠性和稳定性。
  4. 优化的栅极驱动特性,便于与各类控制器配合使用。
  5. 耐热增强型封装,有助于提高散热性能,延长器件寿命。
  6. 工作温度范围宽广(-55℃至175℃),适应各种极端环境条件。

应用

AUIRF9952Q广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 车载DC-DC转换器
  2. 电机驱动控制
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 汽车照明控制系统
  5. 电动助力转向系统(EPS)
  6. 其他需要高性能功率开关的应用场景

替代型号

IRF9952, AUIRF9952

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AUIRF9952Q参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流3.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)150 mOhms
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 封装Tube
  • 栅极电荷 Qg6.9 nC
  • 功率耗散2 W
  • 工厂包装数量95