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AUIRF7805Q 发布时间 时间:2025/5/24 14:46:45 查看 阅读:14

AUIRF7805Q 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TO-263-3 封装,适合用于汽车级应用。其高可靠性、低导通电阻以及出色的开关性能使其成为汽车电子系统中的理想选择,如电机驱动、负载开关和 DC-DC 转换器等。
  该器件经过 AEC-Q101 认证,确保在恶劣的汽车环境中稳定运行。它具有较低的栅极电荷和输出电容,从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:49nC
  总电容:180pF
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263-3

特性

AUIRF7805Q 的主要特性包括:
  1. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车环境。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
  3. 高电流处理能力,支持高达 28A 的连续漏极电流。
  4. 快速开关性能,得益于低栅极电荷和输出电容。
  5. 较宽的工作温度范围,能够在极端条件下正常运行。
  6. 稳定性和耐用性强,能够承受多次热循环和机械应力。
  7. 适合表面贴装工艺,简化了制造流程并提高了生产效率。

应用

AUIRF7805Q 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子:包括发动机控制单元 (ECU)、电动助力转向系统 (EPS) 和变速箱控制模块。
  2. 工业自动化:如伺服驱动、逆变器和 UPS 系统。
  3. 消费类电子产品:用于高性能音频放大器和电源管理模块。
  4. 通信设备:为基站和路由器提供高效的电源转换。
  5. LED 照明:用于大功率 LED 驱动电路,提高能效并降低发热量。

替代型号

IRF7805, SI4463DP, FDP15N40L

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AUIRF7805Q参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压12 V
  • 漏极连续电流13 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)11 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 封装Tube
  • 栅极电荷 Qg22 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 典型关闭延迟时间38 ns