AUIRF7416Q 时间：2025/12/26 20:25:13 阅读：10

AUIRF7416Q是一款由Infineon Technologies生产的汽车级P沟道功率MOSFET，专为高可靠性车载应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，能够在低电压条件下提供优异的导通性能和开关特性，适用于电源管理、负载切换和电机控制等场景。由于其P沟道结构，AUIRF7416Q在栅极无驱动信号时默认处于导通状态，适合高边开关应用，简化了驱动电路的设计。该器件符合AEC-Q101汽车电子元器件可靠性标准，并具备出色的抗热循环和抗振动能力，确保在严苛的汽车环境中长期稳定运行。封装形式为SO-8，具有良好的散热性能和空间利用率，便于自动化生产和回流焊工艺。此外，AUIRF7416Q集成了多种保护机制，包括过温保护和雪崩能量耐受能力，提升了系统安全性与鲁棒性。

参数

型号：AUIRF7416Q
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5.3A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-16A
　　最大功耗（PD）：1.7W
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：32mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：42mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：685pF
　　输出电容（Coss）：490pF
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SO-8
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS

特性

AUIRF7416Q的特性体现在其卓越的电气性能与高度集成的安全保护机制上。首先，该器件采用了Infineon先进的功率MOSFET制造工艺，结合优化的沟道设计，在低栅极驱动电压下即可实现极低的导通电阻，显著降低导通损耗，提高系统效率。其在VGS=-4.5V时的典型RDS(on)仅为32mΩ，即便在VGS=-2.5V的低压驱动条件下仍能保持42mΩ的低阻值，这使其非常适合由3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用，无需额外电平转换或电荷泵电路，从而简化系统设计并降低成本。
　　其次，AUIRF7416Q具备出色的动态响应能力。其输入电容和输出电容分别为685pF和490pF，配合较低的栅极电荷，使器件能够快速开启和关断，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关操作。反向恢复时间仅16ns，有助于减小体二极管反向恢复带来的电流尖峰和电磁干扰，提升系统稳定性。此外，该器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），可在极端温度环境下可靠运行，满足汽车引擎舱内高温及冬季低温启动的要求。
　　安全方面，AUIRF7416Q通过了AEC-Q101认证，具备高抗扰度和长期可靠性。其设计支持单脉冲雪崩能量耐受，增强了对电压瞬变和感性负载关断时产生的电压尖峰的抵抗能力。内置的热关断保护机制可在芯片温度过高时自动切断电流，防止热失控。同时，SO-8封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热路径，可通过PCB布局进一步增强热管理效果。这些特性共同使AUIRF7416Q成为汽车电子中高边开关、电池管理系统、LED照明驱动和电源分配单元的理想选择。

应用

AUIRF7416Q广泛应用于各类汽车电子系统中，典型用途包括车载电源管理模块中的高边开关、电池供电系统的通断控制、车身控制模块（BCM）中的灯光驱动（如尾灯、转向灯）、车窗升降电机控制以及各种12V负载的智能配电。此外，也适用于需要低电压P沟道MOSFET的工业级电源切换和消费类电子产品中的热插拔保护电路。