AUIRF7319Q是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的汽车级MOSFET,专为高可靠性要求的汽车应用设计。该器件采用N沟道增强型结构,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。
这款MOSFET使用PQFN封装,尺寸紧凑且具备出色的散热性能,非常适合空间受限的设计。其符合AEC-Q101标准,确保在极端温度和振动条件下的稳定性。
型号:AUIRF7319Q
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极电压):40V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,VGS=10V时)
ID(连续漏极电流):68A
Qg(总栅极电荷):28nC
EAS(雪崩能量):1.4J
封装:PQFN (5x6mm)
工作温度范围:-55°C至175°C
AUIRF7319Q是一款高度具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力(ID=68A),适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性,能够降低开关损耗,提升系统整体效率。
4. 符合AEC-Q101汽车级认证,确保在恶劣环境中的可靠运行。
5. 紧凑的PQFN封装,节省PCB空间并提供良好的热性能。
6. 支持高达175°C的工作温度,满足高温环境下的使用需求。
这些特性使AUIRF7319Q成为汽车电子系统中理想的功率开关元件。
AUIRF7319Q广泛应用于各种汽车电子系统中,包括但不限于:
1. 汽车DC-DC转换器:用于高效电源管理。
2. 负载开关:控制不同负载的通断状态。
3. 电机驱动:驱动小型直流电机或步进电机。
4. 电池管理系统(BMS):实现电池充放电保护和电流调节。
5. 照明系统:控制LED灯和其他照明设备的供电。
AUIRF7319Q凭借其优异的电气特性和可靠性,特别适合需要高性能和高稳定性的汽车应用。
IRF7319, AUIRF7319