类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：40V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：210A
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：1.3mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：1.8mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：5000pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：PowerSO-8（DPAK）
　　符合AEC-Q101：是
　　无铅：是

AUIRF4104STRR采用了Infineon先进的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构能够在保持低导通电阻的同时显著提升单位面积的电流承载能力。其RDS(on)低至1.3mΩ（在VGS=10V时），有效降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。这在大电流应用场景中尤为重要，例如车载电机驱动或大功率LED驱动电路中，能够显著减少发热并简化散热设计。此外，该器件在VGS=4.5V时仍能实现1.8mΩ的低导通电阻，表明其在低电压逻辑电平驱动下也具备良好的性能表现，兼容3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或复杂驱动电路。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容（Ciss）仅为5000pF，在高频开关应用中可降低驱动功耗，提升开关速度。同时，较低的栅极电荷（Qg）减少了每次开关所需的能量，有利于提高DC-DC转换器等开关电源的效率。反向恢复时间（trr）为28ns，配合体二极管的快速响应能力，可在同步整流或H桥电路中有效减少交叉导通风险和开关损耗。
　　作为一款通过AEC-Q101认证的汽车级器件，AUIRF4104STRR在可靠性方面表现出色。它经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击和湿度敏感性测试，确保在车辆运行过程中面对振动、温变和电气噪声等挑战时依然稳定可靠。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于发动机舱内等高温环境，同时也可在寒冷气候下正常启动和运行。
　　PowerSO-8（DPAK）封装不仅提供良好的热传导性能，还支持自动化贴片生产，便于大规模制造。该封装形式具有较强的机械强度和热稳定性，适合焊接在铝基板或带有散热焊盘的PCB上，进一步增强散热能力。综合来看，AUIRF4104STRR凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为现代汽车电子系统中不可或缺的关键元件。

AUIRF4104STRR广泛应用于各类汽车电子系统中，尤其是在需要高效、高电流开关能力的场合。典型应用包括车载直流电机控制，如车窗升降器、座椅调节电机、风扇和泵类驱动系统。在这些应用中，该MOSFET能够承受频繁启停和瞬态过流，同时保持低功耗和高响应速度。此外，它也被用于LED前大灯和尾灯驱动电路，作为恒流开关元件，提供精确的亮度控制和快速调光响应。
　　在电源管理领域，AUIRF4104STRR常用于多相降压变换器（Buck Converter）或同步整流拓扑中，特别是在车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）电源模块以及ECU（电子控制单元）的供电方案中。其低RDS(on)和快速开关特性有助于提升转换效率，降低发热量，满足汽车对节能和热管理的严格要求。
　　该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及电动助力转向（EPS）系统的功率级设计。在这些高安全性要求的应用中，其AEC-Q101认证和高可靠性成为关键优势。此外，由于其具备一定的雪崩耐受能力，能够在负载突变或感性负载关断时吸收瞬态能量，从而保护整个电路免受损坏。
　　工业领域中，尽管主要定位为汽车级产品，但AUIRF4104STRR也可用于工业电机驱动、高密度电源模块和便携式设备中需要高功率密度和高可靠性的场景。总之，凡是需要在紧凑空间内实现高效、高电流开关控制的应用，AUIRF4104STRR都是一个极具竞争力的选择。

IRF4104SPBF
　　AUIRF4104S