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AUIRF3710ZSTRR 发布时间 时间:2025/7/11 12:47:35 查看 阅读:13

AUIRF3710ZSTRR 是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用TO-264-3封装形式。该器件专为汽车电子应用设计,符合AEC-Q101标准。其主要特点是低导通电阻和高开关速度,适用于多种大电流、高频开关场景。
  该器件的额定电压为55V,具有出色的热性能和电气性能,非常适合用于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及负载开关等应用领域。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:98A
  导通电阻:2.6mΩ
  栅极电荷:36nC
  总电容:4250pF
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-264-3

特性

AUIRF3710ZSTRR 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))仅为2.6mΩ,可显著降低传导损耗。
  2. 高额定电流能力,支持高达98A的连续漏极电流。
  3. 符合AEC-Q101标准,确保在严苛环境下的可靠运行。
  4. 优秀的热性能和电气稳定性,适合高功率密度应用。
  5. 高速开关特性,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
  6. 封装形式坚固耐用,适合表面贴装工艺(SMD)。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的DC-DC转换器。
  2. 工业电机驱动和逆变器电路。
  3. 负载开关和电源管理模块。
  4. 高效PWM控制电路。
  5. 各类高频开关电源及功率转换设备。
  AUIRF3710ZSTRR 的高性能使其成为这些应用场景的理想选择。

替代型号

IRF3710ZSTRPbF, AUIRF3710TRPbF

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AUIRF3710ZSTRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C59A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)