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AUIRF3205 发布时间 时间:2025/7/12 16:27:32 查看 阅读:40

AUIRF3205是一款N沟道增强型功率MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用TO-263封装形式,具备高可靠性、低导通电阻的特点,适用于多种电源开关和负载驱动场景。
  该器件由IR(国际整流器公司)生产,广泛应用于汽车电子领域,例如电机控制、电源转换、逆变器以及DC-DC转换等应用中。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:84A
  导通电阻(典型值):4.0mΩ
  总功耗:147W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

AUIRF3205具有以下主要特性:
  1. 符合AEC-Q101标准,确保在严苛的汽车环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(4.0mΩ),有助于降低功耗并提升效率。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 快速开关性能,适合高频应用。
  5. 宽工作温度范围(-55℃至175℃),适应极端环境条件。
  6. 具备优异的热稳定性,便于散热设计。
  这些特性使得AUIRF3205成为汽车电子系统中的理想选择。

应用

AUIRF3205适用于以下应用场景:
  1. 汽车电子中的电机驱动和控制。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
  3. 开关电源和逆变器设计。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 工业设备中的功率管理模块。
  由于其出色的性能和可靠性,这款器件非常适合需要高效功率转换和严格温度要求的场合。

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AUIRF3205参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 漏极连续电流98 A
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Tube
  • 栅极电荷 Qg97.3 nC
  • 功率耗散150 W
  • 工厂包装数量50