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AUIRF1018ES 发布时间 时间:2025/7/12 16:40:55 查看 阅读:18

AUIRF1018ES是一款由Vishay生产的N沟道增强型功率MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用TO-263-3封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种高效率功率转换场景。其坚固的设计使其能够承受汽车环境中常见的恶劣条件,如温度变化、振动等。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻(典型值):4.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:开通延迟时间34ns,关断下降时间27ns
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

AUIRF1018ES采用了Vishay的先进制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻确保了高效的能量转换,降低了功耗。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
  3. 符合AEC-Q101标准,确保其在汽车环境中的可靠性。
  4. 快速开关性能,减少了开关损耗并提升了系统效率。
  5. 较宽的工作结温范围,使其能够在极端条件下正常工作。
  6. 无铅封装,符合RoHS标准,环保友好。

应用

AUIRF1018ES主要应用于汽车电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. DC-DC转换器中的开关元件。
  2. 汽车电动助力转向系统(EPS)中的功率驱动。
  3. 起停系统的功率管理模块。
  4. 汽车空调压缩机控制器。
  5. LED驱动电路中的功率开关。
  6. 其他需要高性能、高可靠性的汽车级功率转换和控制场景。

替代型号

IRF1010Z,
  STP10NK60Z,
  IXFK20N50T,
  AO3400A

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AUIRF1018ES参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流79 A
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK
  • 封装Tube
  • 栅极电荷 Qg46 nC
  • 功率耗散110 W
  • 工厂包装数量50