AU6336A52-MEF-GR是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用逻辑电平驱动设计,适用于需要高效能开关的场景。其N沟道增强型特性使其广泛用于各种电子设备中的电源管理、电机驱动和负载切换应用。该产品具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺。
型号:AU6336A52-MEF-GR
类型:N-Channel MOSFET
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.8V至3.6V
Rds(on)(导通电阻,最大值,在Vgs=4.5V时):4.9mΩ
最大漏极电流Id:52A
击穿电压Vdss:60V
功耗Pd(最大值):72W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
AU6336A52-MEF-GR具备以下特点:
1. 高效的逻辑电平驱动功能,便于与低电压控制电路配合使用。
2. 极低的导通电阻Rds(on),能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
3. 超薄DPAK封装设计,有助于提高电路板空间利用率。
4. 支持大电流运行,满足高功率应用需求。
5. 宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
AU6336A52-MEF-GR适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流转换器中的高端或低端开关元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED照明驱动电路中的电流调节元件。
AU6336A52-T1-G,AU6336A52-M3-G