时间：2025/5/10 11:58:56
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AU0561BP是由Alpha & Omega Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。它通常被用作高效能的功率开关元件。
该型号主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备领域，能够提供优异的性能表现。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：37nC (典型值)
总功耗(Ptot)：39W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220FP
AU0561BP具有非常低的导通电阻，这使其在功率转换应用中表现出色，同时降低了导通损耗，提高了整体效率。
该MOSFET支持快速开关操作，适合高频电路设计。其高电流承载能力保证了即使在重载条件下也能稳定运行。
此外，该器件还具备出色的热稳定性，并且能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能。
AU0561BP的设计考虑到了电磁兼容性要求，减少了射频干扰的可能性。这些特点使得它成为各种电源管理和电机驱动应用的理想选择。
该MOSFET广泛用于直流-直流转换器、开关模式电源(SMPS)、负载切换、电池保护电路以及电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制等场景。由于其高效的开关特性和较低的导通损耗，特别适合需要高性能和节能的应用场合。
IRFZ44N
STP14NF06L
FDP5570
IXYS GFDM014N03S
