时间：2025/12/28 20:07:43
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ATV50C170J-HF 是由 Advanced Power Technology（简称 APT，现属于 Microchip Technology）生产的一款功率 MOSFET 模块。该模块设计用于高功率密度应用，具备优异的热管理和电气性能。ATV50C170J-HF 属于双MOSFET模块，内部集成了两个N沟道MOSFET，适用于需要高效、高频开关操作的电源转换系统。该模块采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高可靠性，广泛用于工业电源、电机驱动、UPS、太阳能逆变器等领域。
类型：功率MOSFET模块
配置：双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1700V
漏极电流(Id)：50A（每个MOSFET）
导通电阻(Rds(on))：典型值0.38Ω（每个MOSFET）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg)：约180nC
短路耐受能力：有
封装绝缘：非绝缘型
安装方式：通孔安装
ATV50C170J-HF 具备多项高性能特性，首先其高耐压能力达到1700V，使其适用于高电压环境下的功率转换系统。每个MOSFET单元的导通电阻仅为0.38Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该模块设计采用了先进的封装技术，具有良好的热传导性能，可在高功率运行时保持较低的工作温度，从而提升系统的稳定性和寿命。
此外，ATV50C170J-HF 支持高频开关操作，栅极电荷(Qg)约为180nC，使其在高速开关应用中表现出色，适用于诸如DC-DC转换器、电机控制和逆变器等场景。该模块还具备一定的短路保护能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。
在结构设计方面，该模块采用标准TO-247封装，便于集成到现有的功率电路设计中。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应性强，适用于各种恶劣工业环境。这些特性使得 ATV50C170J-HF 成为高性能电源系统设计的理想选择。
ATV50C170J-HF 主要应用于需要高电压和高效率的功率电子系统中。例如，该模块常用于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电焊设备等。其高耐压能力和低导通电阻特性，特别适合用于DC-AC逆变器和DC-DC升压/降压转换器。此外，由于其良好的热管理和高频开关能力，该模块也广泛用于电动汽车充电设备、智能电网系统和高功率LED驱动电源中。在需要高可靠性和长寿命的工业自动化控制系统中，ATV50C170J-HF 也扮演着关键角色。
APT50M170J-HF, IXFH50N170P, FGH50N170D
