时间：2025/12/28 19:42:59
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ATV02W160-HF 是一款由台湾电源管理解决方案提供商 Advanced Monolithic Devices (AMD) 推出的高效率、低功耗 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于需要高电流和低导通电阻的应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种开关电源设备。ATV02W160-HF 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备优异的热稳定性和电气性能。其封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：20A
最大漏极-源极电压 (VDS)：60V
最大栅极-源极电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：最大 16mΩ @ VGS = 10V
导通电阻温度系数：正温度系数
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
ATV02W160-HF 具备多项优良特性，使其适用于多种高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在 16mΩ 左右，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下即可实现完全导通，兼容常见的栅极驱动器设计。
其次，该 MOSFET 具备良好的热稳定性，TO-252 封装具备较强的散热能力，适用于中高功率密度设计。此外，其沟槽式结构提供了更低的开关损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 降压/升压转换器等。
ATV02W160-HF 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体能效。同时，其具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发高压或负载突变情况下的可靠性。
该器件还具有良好的抗短路能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。此外，其工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），适用于各种工业级和车载应用环境。
ATV02W160-HF 主要应用于需要高效率、高电流承载能力和低导通损耗的电源系统中。例如，在同步整流型 DC-DC 转换器中，该器件可用于高边或低边开关，提升转换效率并减少发热。在负载开关电路中，ATV02W160-HF 可用于控制电池供电设备的通断，降低静态损耗。
此外，该 MOSFET 也广泛应用于马达驱动器、LED 照明调光系统、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及各种类型的开关电源（SMPS）中。在工业自动化设备、服务器电源、通信设备和汽车电子系统中，ATV02W160-HF 都是一个性能优异的选择。
由于其优异的热管理和高频响应能力，ATV02W160-HF 还可用于高频率开关电源设计，如 LLC 谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路等，以满足现代电子设备对小型化与高效率的需求。
Si2302DS、IRFZ44N、NTMFS4C10N、FDMS86180、FDMS86181、AOD4144、AO4406
