时间：2025/8/30 19:17:14
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ATV02W111-HF是一款由Advanced Power Technology或其他类似制造商生产的功率MOSFET模块，通常用于高功率和高频率的电源转换应用。这款器件集成了两个N沟道MOSFET，采用半桥拓扑结构，适用于如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理和工业控制系统等领域。其高频特性使其在高效率电源设计中具有优势。
类型：功率MOSFET模块
拓扑结构：半桥（Half-Bridge）
MOSFET类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：2A（典型）
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.1Ω（典型）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
安装类型：表面贴装（SMD）
功耗（PD）：3W（最大）
ATV02W111-HF功率MOSFET模块具备优异的高频开关性能，适用于高效率电源转换系统。其半桥结构集成了两个N沟道MOSFET，简化了电路设计并减少了外围元件数量，提高了系统可靠性。该模块采用先进的封装技术，具有良好的热管理和散热能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
该器件具有低导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其栅极驱动电路设计简洁，适用于多种PWM控制器，支持宽范围的栅极驱动电压，增强了应用的灵活性。此外，ATV02W111-HF具备较高的耐压能力（VDS最高可达600V），可满足多种高电压应用需求，如工业电源、UPS系统和电机控制等。
ATV02W111-HF广泛应用于各类高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。常见应用包括高频DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统以及不间断电源（UPS）设备等。其高频开关特性也使其适用于谐振变换器和软开关拓扑结构的设计。
SiC450, FAN7382, IRS2001, IPW60R070C6, Si9977
