ATV02W111-HF是一款由Advanced Power Technology或其他类似制造商生产的功率MOSFET模块,通常用于高功率和高频率的电源转换应用。这款器件集成了两个N沟道MOSFET,采用半桥拓扑结构,适用于如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理和工业控制系统等领域。其高频特性使其在高效率电源设计中具有优势。
类型:功率MOSFET模块
拓扑结构:半桥(Half-Bridge)
MOSFET类型:N沟道
最大漏极电流(ID):2A(典型)
最大漏源电压(VDS):600V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):1.1Ω(典型)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-263(表面贴装)
安装类型:表面贴装(SMD)
功耗(PD):3W(最大)
ATV02W111-HF功率MOSFET模块具备优异的高频开关性能,适用于高效率电源转换系统。其半桥结构集成了两个N沟道MOSFET,简化了电路设计并减少了外围元件数量,提高了系统可靠性。该模块采用先进的封装技术,具有良好的热管理和散热能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
该器件具有低导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。其栅极驱动电路设计简洁,适用于多种PWM控制器,支持宽范围的栅极驱动电压,增强了应用的灵活性。此外,ATV02W111-HF具备较高的耐压能力(VDS最高可达600V),可满足多种高电压应用需求,如工业电源、UPS系统和电机控制等。
ATV02W111-HF广泛应用于各类高功率电子系统中,尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。常见应用包括高频DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统以及不间断电源(UPS)设备等。其高频开关特性也使其适用于谐振变换器和软开关拓扑结构的设计。
SiC450, FAN7382, IRS2001, IPW60R070C6, Si9977