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ATV02W111-HF 发布时间 时间:2025/8/30 19:17:14 查看 阅读:8

ATV02W111-HF是一款由Advanced Power Technology或其他类似制造商生产的功率MOSFET模块,通常用于高功率和高频率的电源转换应用。这款器件集成了两个N沟道MOSFET,采用半桥拓扑结构,适用于如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理和工业控制系统等领域。其高频特性使其在高效率电源设计中具有优势。

参数

类型:功率MOSFET模块
  拓扑结构:半桥(Half-Bridge)
  MOSFET类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):2A(典型)
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):1.1Ω(典型)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-263(表面贴装)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  功耗(PD):3W(最大)

特性

ATV02W111-HF功率MOSFET模块具备优异的高频开关性能,适用于高效率电源转换系统。其半桥结构集成了两个N沟道MOSFET,简化了电路设计并减少了外围元件数量,提高了系统可靠性。该模块采用先进的封装技术,具有良好的热管理和散热能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
  该器件具有低导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。其栅极驱动电路设计简洁,适用于多种PWM控制器,支持宽范围的栅极驱动电压,增强了应用的灵活性。此外,ATV02W111-HF具备较高的耐压能力(VDS最高可达600V),可满足多种高电压应用需求,如工业电源、UPS系统和电机控制等。

应用

ATV02W111-HF广泛应用于各类高功率电子系统中,尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。常见应用包括高频DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统以及不间断电源(UPS)设备等。其高频开关特性也使其适用于谐振变换器和软开关拓扑结构的设计。

替代型号

SiC450, FAN7382, IRS2001, IPW60R070C6, Si9977

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ATV02W111-HF参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.86574卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道1
  • 双向通道-
  • 电压 - 反向断态(典型值)110V
  • 电压 - 击穿(最小值)122V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)177V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)1.13A
  • 功率 - 峰值脉冲200W
  • 电源线路保护
  • 应用汽车级
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装SOD-123F