 时间:2024/1/23 13:57:31
                        时间:2024/1/23 13:57:31
                    
                        
                             阅读:673
                            阅读:673
                                                
                    ATTINY861-20MU是基于AVR增强LButtonRISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,ATTINY861-20MU实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计者能够优化功耗与处理速度。
类别:集成电路 (IC)
  家庭:嵌入式 - 微控制器,
  系列:AVR® ATtiny
  核心处理器:AVR
  芯体尺寸:8-位
  速度:20MHz
  连通性:USI
  外围设备:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
  输入/输出数:16
  程序存储器容量:8KB (8K x 8)
  程序存储器类型:FLASH
  EEPROM 大小:512 x 8
  RAM 容量:512 x 8
  电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V
  数据转换器:A/D 11x10b
  振荡器型:内部
  频率:20 MHz
  电源电压(DC):5.00 V, 5.50 V (max)
  时钟频率:20.0 MHz, 20.0 MHz (max)
  RAM大小:512 B
  I/O引脚数:16
  存取时间:20.0 μs
  核心架构:AVR
  模数转换数(ADC):1
  工作温度(Max):85 ℃
  工作温度(Min):-40 ℃
  电源电压:1.8.5.5 V
  电源电压(Max):5.5 V
  电源电压(Min):2.7 V
  引脚数:32
  长度:5 mm
  宽度:5 mm
  高度:1 mm
  工作温度:-40℃ ~ 85℃
  封装/外壳:32-VQFN, 32-HVQFN, 32-SQFN, 32-DHVQFN
  包装:托盘
高性能、低功耗AVR?8位微控制器
  高级RISC架构
  –123条功能强大的指令–最多单时钟周期执行
  –32 x 8通用工作寄存器
  –全静态操作
  非易失性程序和数据存储器
  –8K字节的系统内可编程程序存储器闪存耐久性:10000个写入/擦除周期
  –512字节系统内可编程EEPROM耐久性:100000写入/擦除周期
  –512字节内部SRAM
  –用于自编程闪存程序和EEPROM数据安全的编程锁
  外围功能
  –8/16位定时器/计数器,带预分频器和两个PWM通道
  –8/10位高速定时器/计数器,带单独的预分频器
  3个带独立输出比较寄存器的高频PWM输出可编程死区时间发生器
  –带启动条件检测器的通用串行接口
  –10位ADC
  11个单端通道
  16个差分ADC通道对
  15个带可编程增益的差分ADC通道对(1x、8x、20x、32x)
  –带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器
  –片上模拟比较器
  特殊微控制器功能
  –debugWIRE片上调试系统
  –通过SPI端口进行系统内编程
  –外部和内部中断源
  –低功耗空闲、ADC降噪和断电模式
  –增强型通电复位电路
  –可编程断电检测电路
  –内部校准振荡器
  I/O和软件包
  –16条可编程I/O线
  –20针PDIP、20针SOIC和32焊盘MLF
  工作电压:2.7-5.5V
  速度等级::0-10 MHz@2.7-5.5 V,0-20 MHz@4.5-5.5 V
  工业温度范围
  低功耗
  –有源模式:1 MHz,1.8V:380μA
  –断电模式:1.8V时0.1μA
