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ATP201-TL-H 发布时间 时间:2025/6/3 10:14:02 查看 阅读:8

ATP201-TL-H是一款高性能的贴片式瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态过电压的损害。该器件采用DO-214AA封装,具有低电容和快速响应时间的特点,适合应用于高速数据线、USB接口、HDMI接口以及其他敏感电路中。
  这款TVS二极管具备单向保护功能,能够在正向或反向瞬态过电压事件中提供有效的保护。由于其出色的钳位能力和稳健的设计,ATP201-TL-H广泛用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。

参数

工作电压:6V
  最大箝位电压:33.9V
  峰值脉冲电流:37A
  结电容:3.8pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1μA(最大值,@VRWM=6V)
  封装类型:DO-214AA
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

ATP201-TL-H具有以下关键特性:
  1. 极低的电容设计,使其非常适合高速信号线路保护。
  2. 快速响应时间,能够及时抑制瞬态过电压,防止对敏感电路造成损害。
  3. 高度可靠的单向保护功能,适用于多种应用场景。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 耐高温性能优秀,能够在极端环境条件下稳定工作。
  6. 小型化封装设计,便于在空间受限的电路板上安装使用。

应用

ATP201-TL-H主要应用于以下场景:
  1. USB接口保护,包括USB2.0、USB3.0等高速数据传输接口。
  2. HDMI、DisplayPort及其他视频信号接口的防护。
  3. 移动设备中的天线端口保护。
  4. 工业以太网和其他通信系统中的信号线保护。
  5. 消费类电子产品中音频、视频信号线的保护。
  6. 各种需要低电容保护的高速数字电路防护。

替代型号

ATP201SLH-G, PESD5V0X1BA, SM6T36CA-TP

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ATP201-TL-H参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds985pF @ 10V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳ATPAK(2 引线 + 接片)
  • 供应商设备封装ATPAK
  • 包装带卷 (TR)