类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时为7.5mΩ
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-263（D2Pak）

ATN3850-07 功率 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 10V 栅极电压下仅为 7.5mΩ，这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件支持高达 50A 的连续漏极电流，适用于高功率密度应用。
　　其次，该 MOSFET 采用 TO-263 封装，具备良好的散热能力，确保在高负载情况下仍能保持稳定运行。该封装形式也便于表面贴装，适用于自动化生产和高密度 PCB 设计。
　　ATN3850-07 的栅极电压承受能力为 ±20V，使其在使用中具有较高的抗扰动能力，适用于 PWM 控制等高频开关场合。此外，其工作温度范围从 -55°C 到 175°C，具备出色的环境适应性和可靠性，适用于工业级应用。
　　该器件还具备雪崩能量耐受能力，在非理想负载条件下能够提供一定程度的自我保护，提高系统的整体稳定性。因此，ATN3850-07 是一款适用于多种电源管理场景的高性能功率 MOSFET。

ATN3850-07 主要应用于各种高功率和高频开关系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理系统、电池充电器和逆变器等。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及电动车电源系统中。
　　在 DC-DC 转换器中，ATN3850-07 可作为主开关器件，实现高效率的能量转换。其低导通电阻和高电流能力可有效降低损耗，提高系统效率。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和稳定输出。
　　由于其良好的热稳定性和封装设计，ATN3850-07 也适用于需要长时间高负载运行的工业设备，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统。同时，其宽工作温度范围也使其适用于车载电子系统和户外设备等复杂环境中的电源管理任务。

SiS430DN, IRF1405, AUIRF1405, FDP5030, AUIRFR1405