ATN3590-15 时间：2025/8/22 9:43:47 阅读：28

ATN3590-15 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能功率开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制以及电池供电系统等场合。ATN3590-15 采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和高可靠性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

ATN3590-15 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。其导通电阻典型值为 0.045Ω，确保在高电流条件下也能保持较低的压降。
　　该器件的最大漏源电压为 100V，最大连续漏极电流为 9A，使其适用于中高功率应用，如电源转换器、负载开关和电机驱动器。ATN3590-15 还具有 ±20V 的栅源电压容限，允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作，提高了设计的灵活性。
　　在热管理方面，ATN3590-15 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能和较高的热稳定性，确保在高功率密度环境下仍能可靠运行。该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合在恶劣工业环境中使用。
　　此外，ATN3590-15 的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源系统的效率和响应速度，尤其适合高频开关应用，如同步整流和脉宽调制（PWM）控制电路。

应用

ATN3590-15 广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效功率转换和高可靠性设计的场合。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流电路、电源管理模块、电机控制电路、电池充电器和负载开关。
　　在电源管理系统中，ATN3590-15 可作为高边或低边开关使用，用于控制电源通断和负载管理。在电机驱动器中，它可用于构建 H 桥结构，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，由于其低导通电阻和高效率，ATN3590-15 也常用于同步整流器中，以提高电源转换效率。
　　该器件还适用于工业自动化设备、通信电源、消费类电子产品以及汽车电子系统等应用场景，特别是在需要高可靠性和高效率的电池供电设备中表现优异。