ATN3590-15 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高性能功率开关应用而设计,具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性,适用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制以及电池供电系统等场合。ATN3590-15 采用 TO-220 封装,具有良好的热性能和高可靠性。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):9A
导通电阻(RDS(on)):0.045Ω(典型值)
功耗(PD):60W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220
ATN3590-15 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得该器件在导通状态下具有较低的功率损耗,提高了系统的整体效率。其导通电阻典型值为 0.045Ω,确保在高电流条件下也能保持较低的压降。
该器件的最大漏源电压为 100V,最大连续漏极电流为 9A,使其适用于中高功率应用,如电源转换器、负载开关和电机驱动器。ATN3590-15 还具有 ±20V 的栅源电压容限,允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作,提高了设计的灵活性。
在热管理方面,ATN3590-15 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能和较高的热稳定性,确保在高功率密度环境下仍能可靠运行。该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适合在恶劣工业环境中使用。
此外,ATN3590-15 的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高电源系统的效率和响应速度,尤其适合高频开关应用,如同步整流和脉宽调制(PWM)控制电路。
ATN3590-15 广泛应用于各类电力电子系统中,特别是在需要高效功率转换和高可靠性设计的场合。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流电路、电源管理模块、电机控制电路、电池充电器和负载开关。
在电源管理系统中,ATN3590-15 可作为高边或低边开关使用,用于控制电源通断和负载管理。在电机驱动器中,它可用于构建 H 桥结构,实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外,由于其低导通电阻和高效率,ATN3590-15 也常用于同步整流器中,以提高电源转换效率。
该器件还适用于工业自动化设备、通信电源、消费类电子产品以及汽车电子系统等应用场景,特别是在需要高可靠性和高效率的电池供电设备中表现优异。
Si9410BDY, FDS4410, IRF540N