时间：2025/8/22 8:17:10
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ATN3590-12 是一款由 Advanced Transistor Technologies (ATT) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具备高效率、低导通电阻和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。ATN3590-12 的封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺，便于散热和集成。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
ATN3590-12 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，其核心特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)）为 12mΩ，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，优化了载流子流动路径，从而在相同芯片面积下实现了更高的电流承载能力。
另一个关键特性是其高耐压能力，最大漏源电压（VDS）为 30V，适用于多种中低压功率转换应用，如同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。同时，该 MOSFET 具有高达 ±20V 的栅源电压容限，提高了在复杂驱动环境下的稳定性与可靠性。
在热性能方面，ATN3590-12 的 TO-252 封装设计具有良好的散热性能，支持高达 90A 的连续漏极电流，适合在高功率密度环境中使用。此外，该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
ATN3590-12 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，有助于提高开关电源的整体效率。其栅极电荷（Qg）较低，适合高频应用，减少了驱动电路的负担，提高了系统的动态响应能力。
综上所述，ATN3590-12 是一款集低导通电阻、高电流能力和优异热管理性能于一体的 N 沟道功率 MOSFET，非常适合用于高效率电源转换和功率管理应用。
ATN3590-12 适用于多种中低压功率电子系统，主要包括：同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业控制系统、服务器和通信设备电源等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
SiS3590DN-T1-GE3, FDS3590, FDD3590, IPD3590P12S3112, BSC090N03MS
