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ATN3590-12 发布时间 时间:2025/8/22 8:17:10 查看 阅读:17

ATN3590-12 是一款由 Advanced Transistor Technologies (ATT) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽式技术制造,具备高效率、低导通电阻和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。ATN3590-12 的封装形式为 TO-252(DPAK),适用于表面贴装工艺,便于散热和集成。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):90A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):12mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

ATN3590-12 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,其核心特性之一是极低的导通电阻(RDS(on))为 12mΩ,这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计,优化了载流子流动路径,从而在相同芯片面积下实现了更高的电流承载能力。
  另一个关键特性是其高耐压能力,最大漏源电压(VDS)为 30V,适用于多种中低压功率转换应用,如同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。同时,该 MOSFET 具有高达 ±20V 的栅源电压容限,提高了在复杂驱动环境下的稳定性与可靠性。
  在热性能方面,ATN3590-12 的 TO-252 封装设计具有良好的散热性能,支持高达 90A 的连续漏极电流,适合在高功率密度环境中使用。此外,该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C,能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
  ATN3590-12 还具备快速开关特性,降低了开关损耗,有助于提高开关电源的整体效率。其栅极电荷(Qg)较低,适合高频应用,减少了驱动电路的负担,提高了系统的动态响应能力。
  综上所述,ATN3590-12 是一款集低导通电阻、高电流能力和优异热管理性能于一体的 N 沟道功率 MOSFET,非常适合用于高效率电源转换和功率管理应用。

应用

ATN3590-12 适用于多种中低压功率电子系统,主要包括:同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理模块、工业控制系统、服务器和通信设备电源等。由于其低导通电阻和高电流能力,特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

替代型号

SiS3590DN-T1-GE3, FDS3590, FDD3590, IPD3590P12S3112, BSC090N03MS

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ATN3590-12参数

  • 产品培训模块Diodes and Passive Overview
  • 标准包装100
  • 类别RF/IF 和 RFID
  • 家庭RF 模具产品
  • 系列*
  • 功能衰减器,2W,12dB
  • 其它名称863-1158