时间：2025/8/22 6:45:25
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ATN3580-12是一款由Alliance Memory Inc.制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速、低功耗的存储器解决方案，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和嵌入式系统中。该芯片采用先进的CMOS技术制造，提供高速访问时间、宽工作温度范围以及可靠的工作性能。
容量：128Kbit
组织结构：16K x 8位
工作电压：2.3V 至 3.6V
访问时间（tRC）：12ns（最大）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54引脚
数据保持电压：最小1.5V
封装尺寸：8mm x 14mm
封装类型：表面贴装（SMT）
功耗：典型值为55mA（待机模式下为10μA）
ATN3580-12 SRAM芯片具有多项先进的性能特性，首先其高速访问时间为12ns，能够满足高速数据处理和实时应用的需求。该芯片采用CMOS技术，不仅提升了功耗效率，还在待机状态下实现极低的电流消耗，延长了电池供电设备的使用寿命。
此外，ATN3580-12的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其适用于多种电源管理系统，同时具备宽温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣工业环境中稳定运行。芯片采用54引脚TSOP封装，符合现代电子设备对小型化和高密度封装的需求。
该芯片还具备自动数据保持功能，在低电压状态下仍可保留存储数据，非常适合需要长期运行和数据保持的嵌入式系统。此外，其表面贴装封装形式便于自动化生产和焊接，提高了产品制造的可靠性和一致性。
ATN3580-12 SRAM芯片主要应用于需要高速、低功耗存储的场合，如工业控制器、通信模块、网络设备、手持设备、数据采集系统、医疗仪器和汽车电子系统等。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于军工和航天等高要求的行业。
IS61LV128AL-12B4I、CY7C128EDZ-12B、IDT71V128SA12PFGI、AS7C128A-12TC、M28W1280-12NP6T
