您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ATF55143TR1

ATF55143TR1 发布时间 时间:2025/9/15 17:31:41 查看 阅读:14

ATF55143TR1 是一款由 Microchip Technology(原 Atmel)推出的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),专为高线性度、低噪声和高增益应用设计。该器件常用于射频(RF)和微波放大器应用,支持从直流到 6 GHz 的工作频率范围。ATF55143TR1 采用增强型 pHEMT(伪高电子迁移率晶体管)技术,提供卓越的性能和稳定性,非常适合用于无线通信系统、测试设备和宽带放大器设计。

参数

工作频率范围:DC 至 6 GHz
  增益:16 dB @ 2 GHz
  噪声系数:0.6 dB @ 2 GHz
  输出三阶交调截点(OIP3):34 dBm @ 2 GHz
  漏极电流(ID):100 mA @ Vds = 3V
  输入驻波比(VSWR):1.3:1 @ 2 GHz
  输出驻波比(VSWR):2.0:1 @ 2 GHz
  封装类型:SOT-343
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

ATF55143TR1 的主要特性之一是其宽频带操作能力,使其适用于从低频到 6 GHz 的射频应用。它基于增强型 pHEMT 技术,这不仅提高了器件的线性度,还降低了直流功耗,仅需 100 mA 的漏极电流即可工作。该器件具有出色的噪声系数(典型值为 0.6 dB),非常适合用于前端低噪声放大器设计。
  此外,ATF55143TR1 提供高达 34 dBm 的输出三阶交调截点(OIP3),确保在高信号强度下仍能保持良好的线性度,从而减少互调干扰。其输入和输出匹配电路已经内部优化,有助于减少外部元件数量,简化电路设计。
  该器件采用 SOT-343 小型封装形式,便于在高密度 PCB 设计中使用。其工作温度范围宽达 -40°C 至 +85°C,适用于工业级环境条件下的应用。ATF55143TR1 通常被用于无线基站、测试仪器、微波链路和宽带通信设备中。

应用

ATF55143TR1 广泛应用于需要高线性度和低噪声的射频系统中。其主要应用包括无线通信基础设施(如基站和中继器)、测试和测量设备(如频谱分析仪和信号发生器)、宽带放大器、卫星通信系统以及无线本地环路(WLL)设备。
  由于其宽频带特性,该器件也常用于多频段或多标准通信系统中,例如同时支持 GSM、CDMA 和 LTE 的射频前端模块。此外,在需要高动态范围的接收机前端设计中,ATF55143TR1 可作为低噪声放大器(LNA)使用,以提高接收灵敏度。
  该器件还可用于构建通用射频放大器模块,为不同频率范围的应用提供灵活的设计选项。在一些高要求的军用和工业应用中,ATF55143TR1 也被用于提升系统可靠性和信号完整性。

替代型号

ATF55143TR1 的替代型号包括 ATF54143、BGA2707 和 MGA-635P0。ATF54143 同样由 Microchip 推出,采用增强型 pHEMT 技术,支持更高的工作频率,适用于更高频段的应用。BGA2707 是 Broadcom 推出的类似性能的 GaAs FET,具有良好的噪声系数和线性度,适用于无线基础设施。MGA-635P0 则是 Avago(现为 Broadcom)的产品,具备类似的增益和噪声性能,适用于测试设备和通信系统。

ATF55143TR1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价