时间：2025/9/16 6:26:47
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ATF55143-TR1G 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）推出的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET）射频（RF）低噪声放大器（LNA）。该器件专为在 50 MHz 至 4 GHz 的频率范围内提供高增益、低噪声系数和出色的线性度而设计，适用于无线通信、蜂窝基础设施、测试设备、射频接收器等多种高频应用。ATF55143-TR1G 采用先进的 GaAs 技术，具备优异的高频性能，能够在低电压（3 V）供电条件下工作，功耗低，适合电池供电设备。该器件采用 SOT-363 封装，尺寸小巧，便于集成在高密度 PCB 设计中。
类型：射频低噪声放大器（LNA）
工艺技术：GaAs FET
频率范围：50 MHz - 4 GHz
增益：典型值 19 dB（@ 900 MHz）
噪声系数：典型值 0.55 dB（@ 900 MHz）
输出 1 dB 压缩点（P1dB）：典型值 +14 dBm（@ 900 MHz）
三阶交调截距（IP3）：典型值 +24 dBm（@ 900 MHz）
工作电压：3.0 V
电流消耗：典型值 60 mA
封装类型：SOT-363
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
ATF55143-TR1G 是一款高性能的 GaAs FET 射频低噪声放大器，具有多项显著特性。首先，其宽频带设计支持从 50 MHz 到 4 GHz 的频率范围，使其适用于多种射频和无线通信系统，包括 GSM、CDMA、WCDMA、WiMAX 和 LTE 等标准。其次，该器件的噪声系数在典型工作频率下仅为 0.55 dB，能够显著提高接收机的灵敏度，降低系统误码率，从而提升通信质量。
此外，ATF55143-TR1G 提供高达 19 dB 的增益，在低电压（3 V）供电下仍能保持稳定的放大性能，非常适合低功耗应用。其输出 1 dB 压缩点为 +14 dBm，三阶交调截距（IP3）高达 +24 dBm，表现出优异的线性度和抗干扰能力，确保在存在强干扰信号的情况下仍能维持清晰的信号接收。
该器件的静态工作电流为 60 mA，功耗低且效率高，特别适用于对能耗敏感的便携式或电池供电设备。封装方面采用 SOT-363 小型封装，节省 PCB 空间，便于在紧凑型设备中集成使用。此外，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级环境条件，具有良好的温度稳定性和可靠性。
ATF55143-TR1G 广泛应用于各类射频接收系统和无线通信设备中。其主要应用包括蜂窝通信基站（如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等）中的低噪声前端放大器、无线局域网（WLAN）、WiMAX 和 5G 微波通信设备、测试与测量仪器、卫星通信接收器以及各种便携式通信设备。由于其优异的低噪声性能和高线性度，该器件也非常适用于 GPS 接收机和 RFID 读卡器等需要高灵敏度信号放大的场合。
ATF54143-TR1G, BGA2707, BGA2106, MAX2644, TQM61003
