类型：射频场效应晶体管（GaAs FET）
　　封装形式：SOT-363
　　工作频率范围：DC 至 4 GHz
　　电源电压：+3.3V 至 +5.5V
　　工作电流：典型值 35 mA
　　增益：典型值 15 dB
　　噪声系数：典型值 0.65 dB
　　输出IP3：典型值 +28 dBm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

ATF541M4TR1 以其卓越的低噪声性能和高线性度而著称，适用于需要高性能的射频系统前端设计。
　　首先，该器件的噪声系数在典型工作条件下低至 0.65 dB，使其非常适合用于需要高灵敏度的应用，例如无线基站、接收器和测试测量设备。
　　其次，ATF541M4TR1 的增益可达 15 dB，具备良好的频率响应，适用于从直流到 4 GHz 的宽带应用。这种宽频带特性使其在多频段或多标准系统中具有很高的灵活性。
　　此外，该放大器的输出三阶交调截距（IP3）为 +28 dBm，表明其具有良好的线性性能，能够在存在强信号的情况下保持较低的互调失真，适用于高动态范围的信号处理系统。
　　ATF541M4TR1 的电源电压范围为 3.3V 至 5.5V，支持多种供电方式，并具有较低的功耗，适合便携式设备和低功耗系统设计。
　　最后，该器件采用 SOT-363 小型封装，便于集成在高密度 PCB 设计中，并具有良好的热稳定性和可靠性。

ATF541M4TR1 主要用于高性能射频接收器前端、低噪声放大器（LNA）、中频放大器、无线通信基础设施、卫星通信设备、测试与测量仪器以及工业控制系统中的信号调理电路。由于其优异的噪声和线性性能，该器件特别适合用于对信号完整性和系统灵敏度要求较高的应用场合。

BGA2707, HMC414, MAX2642