时间：2025/9/16 13:08:58
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ATF-58143-TR1G 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）公司生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大器（LNA）应用。这款器件采用了先进的 GaAs 工艺技术，具备出色的噪声性能和高增益特性，适用于无线通信、测试设备、雷达和医疗成像等多种高频应用场景。ATF-58143-TR1G 采用 SOT-343 封装，便于表面贴装，适合大批量生产。
工作频率范围：50 MHz 至 6 GHz
噪声系数：0.45 dB（典型值，500 MHz）
增益：19.8 dB（典型值，500 MHz）
输出功率（1 dB 压缩点）：+18 dBm（典型值）
工作电压：3V 至 12V
静态电流：45 mA（典型值）
封装类型：SOT-343
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
ATF-58143-TR1G 的核心优势在于其卓越的低噪声性能和宽频带响应，能够在 50 MHz 到 6 GHz 的广泛频率范围内提供稳定的高增益表现。其噪声系数在 500 MHz 下仅为 0.45 dB，确保了信号在放大过程中保持极高的信噪比，这对于需要高灵敏度的应用尤为重要。此外，该器件具有良好的线性度和输出功率能力，在保持低噪声的同时还能提供 +18 dBm 的输出功率（1 dB 压缩点），使得它不仅适用于前端低噪声放大，还可以在某些中功率应用中发挥作用。
该晶体管的工作电压范围为 3V 至 12V，具备良好的电源适应性，方便在不同系统中使用。典型工作电流为 45 mA，功耗较低，适合电池供电设备。其 SOT-343 小型封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热稳定性和高频性能，适用于高密度 PCB 设计。此外，ATF-58143-TR1G 的制造工艺确保了器件在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境。
ATF-58143-TR1G 广泛应用于需要高性能低噪声放大的射频系统中。典型应用场景包括无线基础设施（如基站和中继器）、测试与测量设备（如频谱分析仪和信号发生器）、卫星通信、雷达系统、医疗成像设备（如超声波和MRI）中的射频接收前端，以及工业控制和自动化系统中的无线通信模块。由于其宽频带特性和低噪声性能，该器件特别适合用于多频段通信系统和宽带接收器设计。
ATF-54143, ATF-55143, BGA2707
