ATF-551M4-BLK 是一款由 Analog Devices 公司推出的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),专为高频率和低噪声应用设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有出色的低噪声性能和高线性度,适用于无线通信系统、射频接收器前端、测试仪器等高频应用领域。
类型:GaAs FET
频率范围:直流至 4 GHz
噪声系数:0.45 dB(典型值,1 GHz)
增益:19 dB(典型值,1 GHz)
输出功率:18 dBm(典型值,1 GHz)
电源电压:5 V
静态电流:60 mA(典型值)
封装类型:6 引脚 SOT-363(SC-70)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
ATF-551M4-BLK 的核心优势在于其卓越的低噪声性能和宽频率响应范围,这使其成为无线基础设施、蜂窝通信系统、Wi-Fi 和其他射频接收前端的理想选择。该器件在 1 GHz 下的噪声系数仅为 0.45 dB,同时在相同频率下提供高达 19 dB 的增益,确保信号在低噪声条件下获得足够的放大。此外,该器件具有良好的线性度和稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。其 6 引脚 SOT-363 封装形式小巧轻便,适用于高密度 PCB 设计。ATF-551M4-BLK 的静态电流为 60 mA,工作电压为 5 V,具有良好的功耗控制能力,适用于对功耗敏感的便携式设备和基站系统。
该器件还具有出色的回波损耗和高隔离度,有助于减少系统中的信号干扰和串扰。其内部结构设计优化了输入匹配,降低了对外部匹配网络的依赖,从而简化了设计流程并降低了整体成本。ATF-551M4-BLK 还具有良好的抗静电能力和高可靠性,符合工业级标准,适用于恶劣环境下的长期运行。
ATF-551M4-BLK 主要用于无线通信系统中的射频接收前端,包括蜂窝基站、Wi-Fi 接收器、GPS 接收模块、测试与测量设备、无线传感器网络和卫星通信系统等。由于其低噪声和高增益特性,该器件特别适用于需要高灵敏度和稳定性的应用场合,如低噪声放大器(LNA)、射频中继器和微波通信系统中的前置放大器。其小尺寸封装也使其成为便携式设备和嵌入式系统中的理想选择。
ATF-54143, ATF-55143, BGA2854