时间：2025/9/15 22:07:06
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ATF-55143-TR2G 是由 Microchip Technology（原 Atmel）生产的一款 GaAs（砷化镓）pHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）射频场效应晶体管（FET），适用于高频、低噪声放大器应用。该器件工作频率范围覆盖从 DC 到 4 GHz，具备优异的噪声性能和增益表现，常用于无线通信系统、测试设备、射频前端模块等高性能射频电路中。
工作频率：DC 至 4 GHz
噪声系数：0.45 dB（典型值，500 MHz）
增益：18 dB（典型值，500 MHz）
输出功率：28 dBm（典型值，连续波）
漏极电流：70 mA（典型值）
漏极电压：7 V（最大值）
封装类型：SOT-343（4 引脚）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
ATF-55143-TR2G 具备多项优良特性，适用于高性能射频应用。首先，其采用 GaAs pHEMT 技术制造，具有非常低的噪声系数（在 500 MHz 时典型值为 0.45 dB）和高增益（18 dB 典型值），非常适合用于低噪声前置放大器设计。其次，该器件具有较高的线性输出功率能力，在连续波（CW）条件下可提供高达 28 dBm 的输出功率，适用于需要较高输出电平的应用场景。
此外，ATF-55143-TR2G 的工作电压范围较宽，漏极电压最高可达 7 V，漏极电流为 70 mA（典型值），使其在不同偏置条件下仍能保持稳定性能。器件采用小型 SOT-343 表面贴装封装，便于在紧凑型射频电路板上安装，同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。
该晶体管的频率响应覆盖从 DC 到 4 GHz，支持多种射频和微波应用，如蜂窝通信、Wi-Fi、ISM 频段设备、频谱分析仪和测试仪器等。其优异的增益平坦度和输入输出阻抗匹配特性，有助于简化射频电路设计并提高整体系统性能。
ATF-55143-TR2G 广泛应用于需要高增益、低噪声和适度输出功率的射频电路中。常见应用包括无线基站、蜂窝网络设备、Wi-Fi 接入点、测试与测量仪器、频谱分析仪、卫星通信设备以及 ISM 频段收发模块等。此外，该器件也适用于射频前端放大器、中继器、低噪声接收链路和便携式通信设备中的射频信号增强环节。
ATF-54143, ATF-55142, MGA-63163
