时间：2025/9/16 14:19:05
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ATF-55143-TR1G 是一款由 Analog Devices（原 Hittite Microwave Corporation）生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要设计用于高频和微波放大器应用。这款晶体管在射频（RF）和微波电路中广泛用于低噪声放大器（LNA）和中功率放大器。ATF-55143 具有良好的增益、低噪声系数和高线性度，适用于从 DC 到 10 GHz 的工作频率范围。TR1G 后缀表示该器件采用 8-TDFN（无引脚封装），适合表面贴装工艺，便于在现代高频电路中使用。
频率范围：DC 至 10 GHz
增益：典型值 19 dB @ 4 GHz
噪声系数：典型值 0.45 dB @ 4 GHz
输出功率（P1dB）：典型值 19.5 dBm @ 4 GHz
OIP3：典型值 33 dBm @ 4 GHz
漏极电流（ID）：典型值 70 mA @ Vds = 3.5 V
工作电压：3.5 V 典型值
封装类型：8-TDFN
ATF-55143-TR1G 具备多项高性能特性，使其成为射频和微波应用的理想选择。首先，该器件采用 GaAs 增强模式 pHEMT 技术，提供了高增益和低噪声性能，使其特别适用于低噪声放大器（LNA）设计。在 4 GHz 频率下，其典型噪声系数仅为 0.45 dB，同时增益可达 19 dB，这对于高灵敏度接收系统至关重要。
其次，ATF-55143-TR1G 在 4 GHz 下具有 19.5 dBm 的 1 dB 压缩点输出功率（P1dB）和高达 33 dBm 的三阶交调截点（OIP3），表现出良好的线性度和输出能力，适用于中功率放大器或高动态范围系统。
此外，该晶体管的工作电压为 3.5 V，漏极电流为 70 mA，功耗较低，适用于电池供电设备和便携式通信系统。其 8-TDFN 封装不仅节省空间，而且具有良好的热管理和高频性能，便于集成到高密度 PCB 设计中。
ATF-55143-TR1G 的另一个重要特性是其宽频带工作能力，覆盖从 DC 到 10 GHz 的频率范围，使其适用于多种无线通信标准，如蜂窝通信（LTE、5G）、Wi-Fi、WiMAX、卫星通信以及测试和测量设备。
ATF-55143-TR1G 广泛应用于射频和微波电子系统中，尤其是在需要高增益、低噪声和良好线性度的场合。其典型应用包括低噪声放大器（LNA）和中功率放大器，适用于 4 GHz 左右的频段，如 Wi-Fi 5（802.11ac）、WiMAX、5G 通信、卫星通信和雷达系统。
该器件也常用于无线基础设施设备，如基站、中继器和远程无线电头端（RRH），其高线性度和低噪声性能有助于提高接收机的灵敏度和系统动态范围。此外，ATF-55143-TR1G 还可用于测试与测量设备，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，以确保高精度和稳定性的信号放大。
由于其低功耗和紧凑的封装形式，该晶体管也适合用于便携式通信设备、无人机（UAV）通信模块以及工业控制系统中的射频前端设计。
HMC414, ATF-54143, BGA2707, CGH40010
