ATF-52189-TR1G是由Analog Devices公司生产的一款低噪声、高线性度的GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),主要用于射频(RF)和微波放大器应用。该器件采用先进的工艺制造,具有优异的噪声性能和高增益特性,使其在通信系统、测试设备以及工业控制等对性能要求极高的应用中表现出色。ATF-52189-TR1G采用SOT-363封装,便于表面贴装,适用于各种高频电路设计。
类型:GaAs FET
工作频率范围:50 MHz 至 4 GHz
噪声系数:0.45 dB(典型值,1 GHz)
增益:18 dB(典型值,1 GHz)
输出功率:28 dBm(典型值,1 GHz)
电源电压:12V
电流:150 mA(典型值)
封装类型:SOT-363
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
ATF-52189-TR1G具有多项卓越的电气特性,适用于高性能射频应用。首先,它的噪声系数非常低,典型值为0.45 dB,在1 GHz频率下能够有效降低信号路径中的噪声干扰,提高系统的信噪比。其次,该器件的增益表现优异,典型增益为18 dB,确保了信号的高效放大。此外,ATF-52189-TR1G在1 GHz频率下的输出功率可达28 dBm,具备较强的输出能力,适合中功率放大应用。
该器件的工作频率范围覆盖50 MHz至4 GHz,使其能够广泛应用于多种无线通信系统,包括蜂窝网络、Wi-Fi基础设施和微波通信设备。其高线性度特性也有助于减少信号失真,提高系统整体性能。
ATF-52189-TR1G采用SOT-363封装,体积小巧,便于集成到高密度PCB设计中。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在恶劣环境条件下的稳定运行。
ATF-52189-TR1G广泛应用于需要低噪声和高增益的射频系统中。典型的应用包括无线基站、微波通信设备、测试与测量仪器、工业控制系统以及高精度传感器前端放大器。由于其优异的噪声性能和宽频带响应,该器件特别适合用于接收器前端放大器,以提高系统的灵敏度和信号质量。此外,ATF-52189-TR1G也可用于低噪声放大器(LNA)、频率合成器和射频信号调理电路。
ATF-54143、ATF-55143、BGA2107、BGA2809