类型：GaAs FET射频功率晶体管
　　封装类型：SOT-363（8引脚）
　　工作频率范围：DC至4 GHz
　　输出功率：典型值为28 dBm（在2 GHz下）
　　增益：典型值为17 dB（在2 GHz下）
　　工作电压：+5V至+7V
　　静态电流（Idd）：典型值为100 mA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

ATF-501P8-TR1G具备多项优良特性，适用于各种射频放大应用。其基于GaAs技术的结构提供了高线性度和低失真，适用于需要高质量信号放大的场合。该器件具有宽广的工作频率范围，从直流到4 GHz，能够支持多种无线通信标准，包括GSM、CDMA、W-CDMA、WiMAX等。
　　在2 GHz频段下，ATF-501P8-TR1G可提供高达28 dBm的输出功率，同时保持17 dB的高增益表现。这种高功率和高增益的结合，使其成为中功率射频放大器设计的理想选择。该器件的工作电压范围为+5V至+7V，适合多种电源设计，同时其静态电流仅为100 mA左右，有助于降低功耗并提高系统能效。
　　采用SOT-363封装，ATF-501P8-TR1G不仅体积小巧，便于集成到高密度PCB设计中，还具备良好的热管理和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境下稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。

ATF-501P8-TR1G广泛应用于多种射频和微波系统中，适用于需要中功率放大和高线性度的场合。其典型应用包括蜂窝通信基站（如GSM、CDMA、W-CDMA、LTE）、无线局域网（WLAN）、WiMAX基站、工业和医疗射频设备、测试与测量仪器以及无线传感器网络。
　　由于其宽频带特性（DC至4 GHz），ATF-501P8-TR1G可用于多频段或多标准通信系统，支持多种无线协议和频段的共用设计。在无线基础设施中，它常用于驱动后级功率放大器或作为前级放大器，提供稳定的增益和低噪声性能。此外，该器件也适用于需要高线性度的数字通信系统，如OFDM调制系统，以减少信号失真和互调干扰。
　　在测试设备领域，ATF-501P8-TR1G可用于射频信号发生器、频谱分析仪和网络分析仪中的放大模块，提供稳定的输出功率和良好的频率响应。同时，其紧凑的SOT-363封装形式也使其适用于便携式和嵌入式射频系统设计。

ATF-54143、ATF-55143、BGA2808、BFU520XR