时间：2025/9/16 4:15:49
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ATF-501P8-TR1 是一款由 Analog Devices（ADI）公司推出的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大应用。该器件采用了先进的工艺技术，具有高线性度、低噪声系数以及出色的增益性能，适用于无线通信、测试仪器、雷达系统和医疗成像设备等多种高性能射频前端设计。ATF-501P8-TR1 采用 8 引脚 TSSOP 封装，适合表面贴装工艺，便于在现代高频电路中使用。
类型：GaAs FET 低噪声放大器
工作频率：最高可达 10 GHz
噪声系数：0.55 dB（典型值，1 GHz）
增益：18.5 dB（典型值，1 GHz）
输出功率：28 dBm（1 GHz，1 dB 压缩点）
工作电压：7 V（典型值）
静态电流：65 mA（典型值）
封装类型：8 引脚 TSSOP
ATF-501P8-TR1 具备多项先进的电气和物理特性，使其在射频应用中表现出色。首先，其低噪声系数（0.55 dB）使得该器件非常适合用于接收端的前端放大器，有助于提高系统的信噪比并改善整体性能。其次，该器件在 1 GHz 频率下提供高达 18.5 dB 的增益，确保信号在经过放大后仍保持良好的完整性。
此外，ATF-501P8-TR1 的输出功率能力在 1 GHz 下达到 28 dBm（1 dB 压缩点），表明其在中等功率应用中也能保持较高的线性度，适用于需要较高输出电平的系统。该器件的典型工作电压为 7 V，静态电流为 65 mA，表明其功耗较低，适用于电池供电或低功耗系统设计。
采用 8 引脚 TSSOP 封装形式，ATF-501P8-TR1 体积小巧，适合在高密度 PCB 设计中使用，并且具备良好的热稳定性和机械稳定性。同时，该封装形式支持表面贴装工艺，简化了制造流程并提高了生产效率。总体而言，ATF-501P8-TR1 是一款性能优异、可靠性高的射频低噪声放大器，适用于多种高频系统应用。
ATF-501P8-TR1 主要用于各种高性能射频和微波系统中，包括无线通信基站、测试与测量设备、雷达系统、卫星通信设备、医疗成像系统以及工业控制系统等。其低噪声系数和高增益特性使其非常适合用于接收端的低噪声放大器（LNA），以提高系统的灵敏度和信号质量。此外，该器件也可用于中频放大器和驱动放大器，满足多种射频信号链设计的需求。在测试仪器中，ATF-501P8-TR1 可用于构建高精度的信号放大模块，提升测量的准确性。在军事和航空航天领域，该器件也广泛应用于雷达和通信系统中的射频前端设计。
ATF-54143, BGA2707, ATF-55143
