ATF-50189-TR1 时间：2025/9/16 9:45:29 阅读：29

ATF-50189-TR1 是 Analog Devices（亚德诺半导体，收购了 Hittite Microwave Corporation）推出的一款 GaAs（砷化镓）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专为在 0.5 GHz 至 20 GHz 的宽频率范围内提供高增益和低噪声系数而设计。该器件非常适合用于通信系统、测试设备、雷达和其它高频电子系统中作为前端放大器。ATF-50189-TR1 采用无引线陶瓷表面贴装封装，便于在高频 PCB 设计中集成。

参数

工作频率范围：0.5 GHz - 20 GHz
　　增益：典型值 16 dB @ 10 GHz
　　噪声系数：典型值 1.5 dB @ 10 GHz
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+18 dBm @ 10 GHz
　　输入驻波比（VSWR）：1.6:1 最大 @ 10 GHz
　　电源电压：5 V
　　静态工作电流：80 mA（典型值）
　　封装形式：6 引脚 SOT-363（SC-70）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

特性

ATF-50189-TR1 具备多项优异的电气和物理特性，适用于各种高性能射频前端应用。首先，该器件采用 GaAs MMIC 技术制造，确保在宽频率范围内具有良好的增益平坦度和低噪声性能。其典型的噪声系数为 1.5 dB，在 10 GHz 频率下增益可达 16 dB，非常适合用于低噪声、高灵敏度的接收系统。此外，该 LNA 具有较高的线性度，OIP3 达到 +18 dBm，有助于在存在干扰信号的情况下保持信号的完整性。
　　其输入和输出端口设计为 50 欧姆阻抗匹配，简化了 PCB 布局和外部匹配电路的需求。输入驻波比（VSWR）最大为 1.6:1，表明其良好的输入匹配性能，有助于减少信号反射并提高系统稳定性。该器件在 5 V 电源电压下工作，典型静态电流为 80 mA，功耗适中，适用于电池供电或对功耗敏感的系统。
　　封装方面，ATF-50189-TR1 采用 6 引脚 SOT-363（SC-70）小型表面贴装封装，非常适合高密度 PCB 设计和高频应用。其宽工作温度范围（-55°C 至 +125°C）也确保了在工业和军事环境下的可靠性。

应用

ATF-50189-TR1 广泛应用于多种高频和宽带射频系统中。常见用途包括无线通信基础设施中的接收机前端、测试与测量设备中的低噪声信号放大、雷达系统中的射频信号处理模块、卫星通信系统中的 LNA 级放大器，以及医疗成像设备和工业控制系统中的射频接收前端。
　　由于其工作频率范围覆盖从 0.5 GHz 到 20 GHz，该器件特别适合用于多频段或多标准通信系统，如 LTE、5G、Wi-Fi 6E、微波回传链路等。此外，其高线性度和低噪声系数使其在需要高动态范围和良好接收灵敏度的系统中表现出色。例如，在频谱分析仪、信号发生器或射频干扰检测设备中，ATF-50189-TR1 可作为前级放大器，显著提高测量精度和系统性能。
　　在航空航天和国防领域，该 LNA 也可用于电子战系统、战术通信设备和导航系统的接收链路中，确保在复杂电磁环境中保持信号的清晰度和稳定性。