类型：高电子迁移率晶体管（HEMT）
　　封装类型：SOT-343
　　工作频率范围：最高可达12 GHz
　　噪声系数：0.45 dB（典型值，10 GHz）
　　增益：17 dB（典型值，10 GHz）
　　输出功率：18 dBm（典型值，10 GHz）
　　工作电压：3 V至5 V
　　工作电流：60 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称值）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

ATF-34143-TR2G具备多项卓越的性能特点，使其在高频低噪声放大器设计中成为首选器件。首先，该晶体管在10 GHz频率下的噪声系数仅为0.45 dB，能够在高频率下保持极低的噪声性能，这对于提升接收系统的灵敏度至关重要。其次，该器件在相同频率下提供高达17 dB的增益，有助于减少放大器链路中的级数，从而简化系统设计并降低功耗。
　　此外，ATF-34143-TR2G的工作电压范围为3 V至5 V，适合多种供电环境，并且其工作电流仅为60 mA，具备较低的功耗特性，适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。该晶体管采用SOT-343封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具备良好的散热性能。
　　该器件在宽频率范围内（最高可达12 GHz）保持稳定的性能，适用于从微波通信到测试测量设备的广泛应用。其50 Ω输入输出阻抗匹配简化了外部匹配网络的设计，降低了设计复杂度并提高了系统的整体性能。

ATF-34143-TR2G广泛应用于需要高性能低噪声放大的高频电子系统中。典型应用包括无线基站接收前端、卫星通信系统、雷达接收器、测试与测量仪器（如频谱分析仪和信号发生器）、宽带通信设备以及军事和航空航天电子系统。由于其在10 GHz以上仍能保持优异的噪声和增益性能，该晶体管也常用于毫米波通信和5G基础设施中的低噪声放大器模块设计。
　　在卫星通信系统中，ATF-34143-TR2G用于L波段、S波段和X波段的低噪声前置放大器，有助于提升接收信号的质量和稳定性。在测试设备中，该器件常用于构建高精度、高灵敏度的射频前端模块。同时，其小封装形式也使其适用于便携式设备和高密度射频集成电路设计。

ATF-54143-TR1G, ATF-55143, BGA2103, MGA-63160