时间：2025/9/16 10:28:53
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ATF-33143-BLKG是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的GaAs（砷化镓）pHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）场效应晶体管（FET），主要用于射频和微波频率范围内的低噪声放大应用。该器件工作频率范围广泛，适用于无线通信、测试设备、雷达系统以及其他需要高性能射频放大的领域。ATF-33143-BLKG采用SOT-343封装，具有低噪声系数、高增益和良好的线性度，使其成为低噪声放大器（LNA）设计的理想选择。
类型：GaAs pHEMT FET
工作频率：50 MHz 至 4 GHz
噪声系数：0.45 dB（典型值，在2 GHz）
增益：18 dB（典型值，在2 GHz）
输出IP3：32 dBm（典型值）
静态电流：50 mA（典型值）
工作电压：3 V 至 6 V
封装类型：SOT-343
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
ATF-33143-BLKG具备出色的低噪声性能，在2 GHz频率下噪声系数低至0.45 dB，使其适用于高灵敏度接收系统。该器件的增益可达18 dB，确保在射频信号链中提供足够的信号增强。此外，其输出三阶截距点（IP3）为32 dBm，表明其具有良好的线性度和抗干扰能力，适用于高动态范围的通信系统。 ATF-33143-BLKG的工作电压范围为3 V至6 V，适应多种电源设计需求，同时具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作。其SOT-343的小型封装形式便于PCB布局和集成，特别适合空间受限的应用场合。此外，该器件具有优异的回波损耗和匹配性能，有助于减少外部匹配网络的复杂度，从而降低整体设计成本。
ATF-33143-BLKG的高可靠性和成熟工艺使其广泛应用于无线基础设施、微波通信、卫星接收器、频谱分析仪以及便携式测试设备等领域。其优异的噪声性能和高增益表现，使其在低噪声放大器（LNA）设计中具有显著优势。
ATF-33143-BLKG主要用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA），如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、微波链路、卫星接收设备、频谱分析仪和射频测试仪器。此外，该器件也适用于医疗成像设备、雷达系统和工业控制系统中的射频信号处理模块。
ATF-33143, ATF-34143, ATF-54143
