ATF-13736 时间：2025/9/16 9:07:04 阅读：44

ATF-13736 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），广泛应用于射频（RF）和微波放大器设计中。该器件基于高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有优异的高频性能和低噪声特性。ATF-13736 适用于多种射频前端应用，包括通信系统、测试设备和无线基础设施。该器件采用 SOT-343 封装，便于表面贴装。

参数

类型：GaAs HEMT FET
　　频率范围：DC 至 10 GHz
　　噪声系数（典型值）：0.55 dB（在 2 GHz）
　　增益（典型值）：18 dB（在 2 GHz）
　　输出IP3（典型值）：30 dBm（在 2 GHz）
　　工作电压：3 V 至 6 V
　　静态电流（IDD）：40 mA 至 100 mA
　　封装类型：SOT-343
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

ATF-13736 的核心优势在于其基于 GaAs HEMT 技术所带来的卓越性能。首先，它具备非常低的噪声系数，典型值在 2 GHz 下仅为 0.55 dB，这使得它非常适合用于高灵敏度接收器的前端放大器。其次，该器件在宽频率范围内提供高增益，典型增益为 18 dB，在 10 GHz 频率下仍能保持良好的性能，适用于高频信号放大。此外，ATF-13736 的线性度表现优异，三阶交调截距（IP3）高达 30 dBm，确保在高信号强度环境下仍能保持信号的完整性，减少失真。
　　在供电方面，ATF-13736 支持较宽的电源电压范围（3 V 至 6 V），便于集成到不同的电源系统中。其静态电流可在 40 mA 至 100 mA 之间调节，使得设计人员可以根据功耗和性能需求进行优化。器件采用 SOT-343 小型封装，适合高密度 PCB 设计，并具有良好的热稳定性和可靠性。
　　由于其高增益、低噪声和良好的线性度，ATF-13736 在射频放大器设计中表现出色，尤其是在低功耗、高性能要求的场景中。此外，该器件的宽频带特性使其适用于多频段或多标准通信系统，提高了设计的灵活性。

应用

ATF-13736 主要用于需要高性能射频放大的电子系统中。其典型应用包括蜂窝通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、无线局域网（WLAN）设备、卫星通信系统以及测试和测量仪器。此外，该器件还可用于 GPS 接收器、雷达系统、微波回传设备和工业控制系统中的射频前端模块。由于其低功耗和高增益特性，ATF-13736 在便携式通信设备和远程传感系统中也有广泛应用。