时间：2025/9/16 4:40:47
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ATF-10136-TR1G是一款由Microchip Technology公司生产的射频(RF)场效应晶体管(FET)，广泛应用于射频放大器和高频电路设计中。该器件基于砷化镓(GaAs)技术，具有高增益、低噪声系数以及优异的线性性能，适合用于无线通信系统、数据通信设备和测试测量仪器等领域。
晶体管类型：GaAs FET
工作频率范围：10 MHz至6 GHz
增益：20 dB（典型值）
噪声系数：0.55 dB（典型值）
输出功率：28 dBm（典型值）
工作电压：+3.3 V至+5 V
工作电流：70 mA（典型值）
封装类型：SOT-363
输入/输出阻抗：50 Ohms
ATF-10136-TR1G具有多个显著的技术特性，使其在射频应用中表现出色。首先，其工作频率范围覆盖10 MHz至6 GHz，适用于广泛的射频和微波应用。这种宽频带操作能力使其能够支持多种无线通信标准，如Wi-Fi、WiMAX、蜂窝网络等。
其次，ATF-10136-TR1G的增益为20 dB（典型值），能够在不使用额外放大级的情况下提供足够的信号放大，从而简化了电路设计并降低了整体系统成本。此外，该器件的噪声系数为0.55 dB（典型值），表明其在低噪声放大应用中具有出色的性能，特别适用于接收机前端以提高系统的信噪比。
在输出功率方面，ATF-10136-TR1G可以提供高达28 dBm的输出功率，确保在高线性度要求下的稳定运行。其工作电压范围为+3.3 V至+5 V，适用于多种电源配置，而工作电流仅为70 mA（典型值），具有较低的功耗特性，适合电池供电设备。
该器件采用SOT-363封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB设计中集成。其输入和输出阻抗为50 Ohms，与大多数射频系统匹配良好，减少了额外的匹配电路需求，进一步简化了设计流程。
ATF-10136-TR1G主要应用于需要高增益、低噪声和高线性度的射频系统中。在无线通信领域，该器件可用于基站、无线接入点（AP）以及移动终端设备的射频前端设计，提升接收灵敏度和传输效率。
此外，ATF-10136-TR1G也广泛应用于数据通信设备，如光模块、路由器和交换机中的射频信号处理电路。其优异的线性性能使其在多载波通信系统中表现出色，有助于减少信号失真和互调干扰。
在测试测量设备中，ATF-10136-TR1G常用于频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等仪器的射频放大电路，确保测试信号的准确性和稳定性。
其他应用还包括卫星通信系统、雷达设备、工业控制和物联网（IoT）设备中的射频信号处理模块。
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"ATF-10134",
"ATF-10140",
"NE3210S01"
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