AT60-12-0166 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 提供的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该芯片采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高性能功率管理的场合。
AT60-12-0166 的设计结合了先进的制造工艺和优化的电气特性,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:12A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:38nC
总电容:1050pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-252
AT60-12-0166 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,确保在高电流应用中实现更高的效率和更低的功耗。
2. 高度可靠的性能,在宽温度范围内保持稳定的工作状态。
3. 采用了优化的 MOSFET 技术,具备快速开关速度和较低的开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准,环保且适用于各种工业级和消费级应用。
5. 强大的散热能力,能够在高温环境下长期运行而不影响性能。
6. TO-252 封装形式便于安装与集成,同时占用较小的 PCB 空间。
AT60-12-0166 主要用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的高频功率转换。
2. 各种 DC-DC 转换器,包括降压和升压拓扑结构。
3. 电机驱动电路,特别是在无刷直流电机(BLDC)控制中。
4. 工业自动化系统中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS),用于保护和均衡电池组。
6. 电信设备及数据通信中的电源管理模块。
AO6402, FDP016N06L, IRFZ44N