型号：AT25DF256-XMHN-T
　　制造商：Microchip Technology
　　存储容量：256 Mbit (32 MB)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持85 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC (Narrow)
　　组织结构：按页编程，每页256字节；扇区擦除大小为4KB/32KB/64KB
　　写入耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：100年
　　写保护功能：支持软件写保护和WP引脚硬件写保护
　　状态寄存器：支持读取忙状态、写使能、块锁定等控制位
　　休眠电流：<1 μA（典型值）
　　工作电流：约8 mA（读取模式，典型值）

AT25DF256-XMHN-T具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中理想的串行闪存解决方案。
　　首先，该芯片支持高速SPI接口，最高时钟频率可达85MHz，在单I/O模式下仍能实现接近并行闪存的数据吞吐率，显著提升系统启动速度和数据访问效率。其内部存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区（4KB）、大块（32KB和64KB）以及全芯片擦除功能，允许灵活地管理存储空间，满足不同应用对数据更新粒度的需求。
　　其次，器件内置了完善的安全保护机制。通过状态寄存器可以设置不同的保护级别，例如临时锁定或永久锁定特定地址区域，防止未经授权的写入或擦除操作。硬件写保护引脚（WP#）可在外部电平控制下启用或禁用写入功能，增强了物理层面的数据防护能力。
　　再者，AT25DF256-XMHN-T采用了低功耗设计理念。在待机或休眠模式下，电流消耗极低（小于1μA），有助于延长电池供电设备的工作寿命。同时，芯片支持快速唤醒机制，从休眠状态恢复到正常工作状态仅需几微秒，确保系统响应及时。
　　此外，该器件具有优异的可靠性和耐久性。每个存储单元可承受高达10万次的编程/擦除循环，数据保存时间长达100年，适用于长期运行且频繁更新数据的应用场景。制造工艺符合RoHS环保标准，无铅封装设计有利于现代绿色电子产品生产。
　　最后，Microchip为该系列产品提供了完整的开发支持，包括详细的数据手册、应用笔记、参考代码及烧录工具，便于工程师快速集成和调试。这些综合特性使得AT25DF256-XMHN-T在性能、稳定性与易用性方面表现卓越。

AT25DF256-XMHN-T广泛应用于多种需要大容量串行闪存的电子系统中。
　　在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、远程IO模块中存储固件程序、设备配置参数和运行日志数据。其高可靠性与宽温特性确保在恶劣工业环境中稳定运行。
　　在通信设备中，如路由器、交换机、光网络终端（ONT）等，该芯片可用于存放启动引导程序（Bootloader）、操作系统镜像和网络配置文件，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。
　　消费类电子产品如智能电视、机顶盒、数码相机也常采用此类串行闪存来存储UI资源、音频视频元数据或用户偏好设置，利用其小封装优势节省PCB空间。
　　在汽车电子方面，适用于仪表盘显示模块、车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS辅助驾驶单元中的非易失性数据记录，满足车规级可靠性要求。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器、智能家居网关等对数据完整性要求较高的场合，该芯片凭借其写保护机制和长期数据保持能力，保障关键信息不丢失。
　　由于其标准化SPI接口和良好兼容性，AT25DF256-XMHN-T还可作为多种微控制器（如ARM Cortex-M系列、ESP32、STM32等）的外部程序存储器使用，扩展片上Flash不足的问题，是嵌入式开发中常用的外扩存储方案之一。

SST25VF032B-104VI-E3
　　W25Q32JVSSIQ
　　MX25L3206E-12G2NI3TP
　　EN25Q32B
　　IS25LP320D-JBLE