AT1380AP是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度,从而有效降低功耗并提升系统效率。AT1380AP为N沟道增强型MOSFET,适用于高频率和大电流的工作环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:32A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=9ns, toff=15ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
AT1380AP具有非常低的导通电阻,这使得它在处理大电流时可以减少功率损耗,提高整体效率。
此外,该器件还拥有较快的开关速度,这对于高频应用尤为重要,因为它能够减少开关损耗,并允许更小的无源元件使用。
其具备良好的热稳定性,在高温环境下依然保持可靠的性能,适合工业级和汽车级应用。
同时,它也具有较强的抗雪崩能力,能够在异常条件下保护电路不受损坏。
AT1380AP主要应用于高效能的电源管理解决方案中,例如笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源以及电动工具等领域。
它也可用于各种电机控制场景,如直流无刷电机驱动、步进电机驱动等。
此外,在新能源汽车领域的OBC(车载充电器)和DC-DC变换器中,这款MOSFET同样表现出色。
IRF1405ZPBF, FDP16N60E