AT053T223KA12A 是一款由知名半导体厂商生产的高效能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于需要高效率和低功耗的场景,例如电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等。它采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,从而显著提升系统性能。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于广泛的工业和消费类电子产品领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:80nC
输入电容:3550pF
开关时间(典型值):ton=9ns, toff=15ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
AT053T223KA12A 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,能够满足大功率应用需求。
4. 增强的热稳定性设计,确保在极端条件下也能正常运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅封装。
6. 采用 DPAK 封装形式,便于安装与散热。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及 AC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 负载切换与保护电路。
4. DC-DC 转换模块中的同步整流。
5. 工业自动化设备中的功率控制部分。
6. 汽车电子系统,如电动车窗、座椅调节等组件。
AO3400
IRFZ44N
STP55NF06L