时间：2025/8/21 23:12:12
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AT006N3-10 是一款由 Advanced Monolithic Devices (AMD) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源转换器和电机控制等应用。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，适合用于需要高可靠性和高性能的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：≤6mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
AT006N3-10 MOSFET 具备低导通电阻的特点，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其高电流容量支持在高负载条件下稳定运行，适用于如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动等应用场景。
该器件采用先进的封装技术，具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，提高系统的整体可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准的10V和12V驱动电路，方便在多种电路设计中使用。
AT006N3-10 的设计优化了开关性能，降低了开关损耗，使其在高频应用中表现优异。同时，其抗雪崩能力较强，可在高能脉冲条件下提供额外的保护，增强系统的稳定性。
AT006N3-10 主要应用于电源管理领域，包括高效率的DC-DC转换器、同步整流系统和负载开关。它也适用于电机控制、电池充电器和逆变器等需要高电流和高效率的电路设计。此外，该器件还可用于工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制模块。
SiHF60N100D, IXFH60N100Q2, STP60NF10
