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AT-42036-TR1G 发布时间 时间:2025/9/15 20:38:32 查看 阅读:8

AT-42036-TR1G 是由 Advanced Monolithic Devices, Inc.(通常简称为 AMI)生产的一款高性能、低功耗的射频(RF)放大器集成电路,主要用于通信系统中的信号增强应用。该器件是一款 GaAs(砷化镓)单片微波集成电路(MMIC),具备宽频率响应范围和高线性度的特点,适用于无线基础设施、微波通信、测试设备等多种高频应用场景。AT-42036-TR1G 采用表面贴装封装技术,便于集成到现代高频电路板设计中。

参数

工作频率范围:2.0 GHz 至 6.0 GHz
  增益:典型值 16 dB
  输出三阶交调截点(OIP3):+33 dBm
  噪声系数:2.5 dB(典型值)
  电源电压:+5V
  工作电流:130 mA(典型值)
  封装类型:TSSOP(6引脚)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

AT-42036-TR1G 具备出色的宽带性能,能够在 2.0 GHz 到 6.0 GHz 的宽频范围内提供稳定的增益和低噪声系数。该芯片在设计上优化了线性度,使其在高信号强度环境下仍能保持良好的信号完整性,避免信号失真。其高输出三阶交调截点(OIP3)表明其在多载波系统中具有优异的抗干扰能力。此外,该芯片的功耗较低,仅需 +5V 单电源供电,工作电流仅为 130 mA,非常适合用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。AT-42036-TR1G 采用 6 引脚 TSSOP 封装,体积小巧,便于 PCB 布局和高频信号走线。该器件还具有良好的温度稳定性,在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内均可稳定工作,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
  该芯片在制造上采用 GaAs MMIC 技术,使其具备高频响应能力,并减少了外部元件的需求,从而提高了整体系统的可靠性和简化了设计流程。AT-42036-TR1G 的输入和输出端口均经过内部匹配设计,减少了对外部匹配网络的依赖,从而降低了设计复杂性和成本。这种设计也使得其易于集成到现有的射频系统中,特别适合用于中继器、无线基站、测试仪器和宽带通信设备等应用场景。

应用

AT-42036-TR1G 被广泛应用于无线通信系统中的射频信号放大环节,包括但不限于微波通信、蜂窝网络基础设施、Wi-Fi 和 WiMAX 前端模块、测试与测量设备、卫星通信系统以及宽带放大器设计。由于其出色的线性度和低噪声特性,该芯片也非常适合用于多载波通信系统和需要高信号保真度的场合。此外,该芯片的低功耗特性使其在便携式通信设备和远程传感系统中也具有良好的应用前景。

替代型号

HMC414LC5, ATF-54143, BGA2707, MAX2642

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AT-42036-TR1G参数

  • 数据列表AT-42036
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • 频率 - 转换8GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • 增益10dB ~ 13.5dB
  • 功率 - 最大600mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 35mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)80mA
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-SMD(36 micro-X)
  • 供应商设备封装36 micro-X
  • 包装带卷 (TR)