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AT-41535G 发布时间 时间:2025/9/15 23:55:41 查看 阅读:23

AT-41535G 是一款高性能的射频(RF)放大器芯片,专为无线通信应用设计。该芯片工作在特定的射频频率范围内,提供高增益和低噪声特性,非常适合用于无线基础设施、基站和移动通信设备。AT-41535G 采用先进的半导体工艺制造,确保在高频环境下具有出色的稳定性和可靠性。

参数

类型:射频放大器
  频率范围:DC至2.5 GHz
  增益:约18 dB
  噪声系数:约0.6 dB
  输出功率:+17 dBm(典型值)
  电源电压:5 V
  封装类型:SOT-89

特性

AT-41535G 具备多项卓越特性,使其在射频放大器领域中脱颖而出。首先,其宽频率覆盖范围从直流至2.5 GHz,支持多种无线通信标准,包括GSM、CDMA、WCDMA和LTE等。其次,该芯片提供高达18 dB的增益,确保信号在传输过程中保持稳定和清晰。此外,AT-41535G 的噪声系数仅为0.6 dB,有效降低信号传输中的噪声干扰,提高整体系统性能。输出功率方面,AT-41535G 可提供+17 dBm的典型输出功率,确保信号传输的稳定性和可靠性。芯片采用5 V电源供电,简化了电源设计,并且其SOT-89封装形式有助于节省PCB空间,提高系统集成度。AT-41535G 还具备良好的温度稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。

应用

AT-41535G 主要应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、微波通信设备和射频测试仪器。此外,该芯片也可用于无线局域网(WLAN)、WiMAX和物联网(IoT)设备,以增强信号接收和传输性能。在军事和航空航天领域,AT-41535G 也被广泛用于雷达系统和通信设备中,以确保高精度和高可靠性的信号处理。

替代型号

HMC416LP5E, ATF-54143

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AT-41535G参数

  • 数据列表AT-41535
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • 频率 - 转换8GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • 增益10dB ~ 18dB
  • 功率 - 最大500mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60mA
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-SMD(35 micro-X)
  • 供应商设备封装35 micro-X
  • 包装散装