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AT-32011-TR1G 发布时间 时间:2025/5/16 12:35:57 查看 阅读:13

AT-32011-TR1G 是一款高性能的功率晶体管,专为高频和高功率应用设计。它采用了先进的半导体制造工艺,具有良好的增益、低噪声和高线性度等特性。该晶体管广泛应用于射频放大器、无线通信设备以及雷达系统等领域。

参数

类型:NPN
  集电极最大电流:5A
  集电极最大电压:100V
  功率:30W
  增益:25dB
  频率范围:1GHz - 3GHz
  封装形式:TO-263

特性

AT-32011-TR1G 晶体管具备高输出功率能力和优秀的线性表现,适合需要大动态范围的应用场景。其优化的设计使其能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能。
  此外,该晶体管还拥有较低的热阻,有助于提高散热效率并延长器件寿命。在高频工作条件下,它的插入损耗小,能够有效减少信号失真。
  为了适应不同的应用场景,这款晶体管还支持多种偏置条件下的稳定运行,并且内置了保护电路以防止过载或异常情况导致损坏。
  综合来看,AT-32011-TR1G 在射频功率放大领域表现出色,尤其适用于要求高可靠性和高效能的场合。

应用

AT-32011-TR1G 主要用于以下领域:
  1. 射频功率放大器设计
  2. 无线通信基站设备
  3. 雷达发射机模块
  4.5. 医疗成像系统中的信号增强
  6. 卫星通信终端
  7. 测试测量仪器中的高频信号生成与放大

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AT-32011-TR1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)5.5V
  • 频率 - 转换-
  • 噪声系数(dB典型值@频率)1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
  • 增益12.5dB ~ 14dB
  • 功率 - 最大200mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 2mA,2.7V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)32mA
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商设备封装SOT-143
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称516-1564-6