型号：ASWPA4035S100MT
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　工作频率范围：3.3 - 3.8 GHz（典型值）
　　输出功率（Pout）：40 dBm（10 W）
　　小信号增益：35 dB（典型值）
　　增益平坦度：±0.5 dB
　　电源电压（Vd）：28 V
　　静态工作电流（Idq）：350 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称值）
　　驻波比（VSWR）：≤1.5:1（输入/输出）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　调制标准支持：LTE, 5G NR, WCDMA, OFDM等
　　谐波抑制：≥30 dBc
　　三阶交调失真（IMD3）：-30 dBc @ Pout = 37 dBm

ASWPA4035S100MT具有出色的射频性能和高度集成的设计特点，适合用于高性能无线通信系统中的关键功率放大环节。其核心优势之一是在3.3至3.8 GHz频段内实现高达40 dBm（即10瓦）的饱和输出功率，同时保持35 dB左右的高增益水平，这使得它特别适用于5G毫米波前传和中继系统的C波段应用。该模块采用先进的半导体材料（如GaN on SiC），不仅提升了功率密度，还显著改善了热导率与器件寿命。得益于内置的输入和输出匹配网络，用户无需进行复杂的外部阻抗匹配设计，大幅缩短了产品开发周期并减少了PCB布局空间需求。
　　该器件具备优良的线性度表现，在使用数字预失真（DPD）技术时能够有效支持高阶调制格式（如64-QAM、256-QAM），满足现代宽带通信对于频谱效率的要求。同时，其低噪声系数和高隔离度有助于减少系统级干扰，提升接收灵敏度。模块内部集成多重保护机制，包括过压、过流、过温和反向功率保护，确保在异常负载条件下仍能安全运行，延长设备使用寿命。
　　ASWPA4035S100MT采用小型化陶瓷封装或金属-陶瓷复合封装，具备优异的散热性能和机械稳定性，适应严苛的工业环境。其表面贴装形式便于自动化贴片生产，有利于大规模制造。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。制造商通常会提供配套的评估板和设计指南，帮助工程师快速完成原型验证与系统调试。

ASWPA4035S100MT主要应用于需要高功率、高线性度射频放大的通信系统中。其最典型的应用场景是5G宏基站和小型蜂窝基站（Small Cell）的射频前端模块，尤其是在3.5 GHz频段（n78频段）作为主功率放大器使用，支持5G NR标准下的高速数据传输需求。此外，它也广泛用于固定无线接入（FWA）、无线回程链路（Backhaul）、点对点微波通信系统以及智能天线阵列中，为远距离、高带宽信号传输提供稳定的功率支撑。
　　在公共安全通信领域，该器件可用于应急通信车、战术电台和宽带集群系统，保障复杂环境下的语音与视频通信质量。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，ASWPA4035S100MT也可部署于航空航天与国防电子系统中，例如雷达发射机、电子战设备和无人机通信链路。
　　在工业物联网（IIoT）和远程监控系统中，该模块可作为长距离无线桥接的核心组件，实现工厂自动化设备之间的高速互联。同时，它适用于测试与测量仪器中的信号激励源构建，为矢量网络分析仪或信号发生器提供高保真度的输出信号。随着5G网络持续扩展和专用网络兴起，ASWPA4035S100MT将在更多定制化无线解决方案中发挥重要作用。

AMMP-6424

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