ASR26R15P是一款由Advanced Semiconductor Rectifier(ASR)公司设计的功率MOSFET晶体管。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计,适用于电源转换、电机控制、负载开关以及各种工业和消费类电子设备中。该MOSFET采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻和出色的热性能,能够在高电流条件下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):26V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值)
封装类型:PowerPAK SO-8
工作温度范围:-55°C至150°C
功率耗散(Pd):4W(最大值)
ASR26R15P功率MOSFET具有多个关键特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为15mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。这种低Rds(on)特性在高电流应用中尤为重要,因为它可以减少发热并提高可靠性。
其次,该MOSFET采用先进的沟槽结构,优化了电流传导路径,提高了器件的热稳定性和耐久性。此外,ASR26R15P的栅极驱动电压范围宽,支持高达±20V的栅源电压,使其能够与各种栅极驱动电路兼容,从而简化了设计和集成。
ASR26R15P采用PowerPAK SO-8封装,具有优异的热管理能力。该封装设计不仅提供了良好的散热性能,还实现了较小的PCB占板面积,适合高密度电路设计。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣工作环境。
此外,该MOSFET具有较高的耐用性和稳定性,能够承受瞬时过载和高电流脉冲,适用于频繁开关操作的场合。其快速开关特性也使其在高频应用中表现出色,减少了开关损耗并提高了系统响应速度。
ASR26R15P广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化设备。在电源管理应用中,它常用于同步整流、电源分配和电压调节电路中,以提高整体效率并减少热量产生。
在DC-DC转换器中,ASR26R15P凭借其低导通电阻和快速开关特性,能够有效提高转换效率,并在高频率下保持良好的稳定性。它也常用于负载开关电路中,作为高效控制电源供应的开关元件,适用于便携式电子设备和嵌入式系统。
此外,该MOSFET在电机控制应用中也表现出色,能够承受高电流负载并提供快速响应。在电池管理系统中,它可用于电池充放电控制和保护电路,确保系统的安全运行。
由于其优异的热性能和紧凑的封装设计,ASR26R15P也适用于空间受限的高密度电路板设计,例如在服务器、通信设备和工业控制设备中。其广泛的工作温度范围使其能够在各种环境条件下稳定运行。
Si2301DS, IRF7404, AO4406A