ASMY-CWG0-NX7G2是一款由Ampleon公司推出的高性能射频功率晶体管,专为工业、科学和医疗(ISM)频段以及广播应用中的高效率射频放大器设计。该器件采用先进的LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)技术制造,能够在高频段提供出色的功率增益和能量效率。ASMY-CWG0-NX7G2特别适用于需要高可靠性与稳定输出的射频系统,如大功率AM/FM广播发射机、等离子体生成设备及射频加热系统。其封装设计优化了热传导性能,确保在长时间高负载运行下的稳定性。此外,该器件具备良好的输入匹配特性,减少了外部匹配网络的复杂性,从而降低了整体系统成本并提高了设计灵活性。作为一款面向高端市场的射频功率晶体管,ASMY-CWG0-NX7G2在热管理、线性度和耐用性方面表现出色,广泛应用于对连续波(CW)和脉冲信号处理有严苛要求的场景。
制造商:Ampleon
产品类型:RF Power Transistor
技术类型:LDMOS
工作频率范围:典型应用覆盖50MHz至1200MHz
输出功率:高达数百瓦(具体值依赖于频段和应用条件)
漏极电压(Vd):50V
增益:典型值大于20dB(依频率而定)
效率:典型效率大于60%
封装类型:Ceramic/Metal Package (NX7)
热阻(Rth):低热阻设计以支持高效散热
输入/输出阻抗:内部匹配优化以减少外部元件需求
ASMY-CWG0-NX7G2基于Ampleon成熟的LDMOS工艺平台,具有卓越的射频性能和长期可靠性。其核心优势之一是宽频带操作能力,在50MHz至1200MHz范围内均可维持稳定的高功率输出,这使得它非常适合多频段或可调谐射频系统的应用。器件在高VSWR(电压驻波比)条件下展现出优异的耐受能力,即使在负载失配严重的环境中也能保持正常工作而不损坏,极大提升了系统鲁棒性。
该晶体管采用了NX7陶瓷金属封装,这种封装不仅提供了优良的热传导路径,还增强了机械强度和环境适应性,适合在高温、高湿或振动环境下长期运行。其低热阻特性有助于将结温控制在安全范围内,延长器件寿命并提升系统可用性。
另一个显著特点是高度集成的内部匹配网络。ASMY-CWG0-NX7G2在输入端进行了预匹配设计,大幅减少了外部匹配元件的数量,简化了PCB布局,缩短了产品开发周期,并降低了整体物料成本。这对于广播发射机这类需要快速部署和维护的系统尤为重要。
此外,该器件支持高效率Doherty、Class AB等多种放大器架构,能够满足现代绿色能源标准对能效的要求。其线性度表现良好,配合数字预失真(DPD)技术可用于高级调制信号的放大,适用于需要高质量信号传输的应用场景。Ampleon还为该系列产品提供全面的技术支持文档和仿真模型,便于工程师进行电路设计与优化。
ASMY-CWG0-NX7G2主要用于高功率射频放大系统,典型应用场景包括商业与公共广播领域的AM、FM和数字音频广播(DAB)发射机。其高输出功率和高效率使其成为城市级或区域级广播基础设施的理想选择。
在工业领域,该器件被广泛用于射频能量应用,例如等离子体发生器、材料加热、干燥和焊接设备中,这些应用依赖稳定的射频能量输出来实现精确的过程控制。
此外,ASMY-CWG0-NX7G2也可用于科研仪器和测试设备中的高功率信号源构建,支持连续波或脉冲模式操作,适用于电磁兼容性(EMC)测试、粒子加速器激励源及其他需要高场强射频环境的研究项目。
由于其宽频带特性和良好的互调性能,该器件还可用于通用宽带放大器模块的设计,服务于通信基站、应急通信系统以及军事通信装备等领域。
APTX0M28300N